第一章 引言 | 第1-15页 |
·研究背景及意义 | 第9-10页 |
·OEICs 国内外相关的研究动态 | 第10-12页 |
·本文的主要工作 | 第12-15页 |
第二章 激光微细加工技术 | 第15-20页 |
·激光微细加工 | 第15-18页 |
·激光辅助掺杂 | 第15-16页 |
·激光退火 | 第16-17页 |
·激光淀积 | 第17页 |
·激光腐蚀 | 第17-18页 |
·国内外半导体激光微细加工技术的进展 | 第18-20页 |
第三章 平面型 InGaAs/InP PIN PD 的激光微细加工制作 | 第20-30页 |
·InGaAs 材料 | 第20-23页 |
·InGaAs 物理特性 | 第20-23页 |
·晶格结构 | 第20-21页 |
·晶格常数 | 第21页 |
·禁带宽度 | 第21-23页 |
·InGaAs/InP PIN PD | 第23-28页 |
·InGaAs/InP PIN PD 结构 | 第23-24页 |
·探测器的性能参数 | 第24-28页 |
·量子效率和响应度 | 第24-25页 |
·暗电流 | 第25-27页 |
·频率响应 | 第27-28页 |
·激光微细加工技术制作光探测器的工艺流程 | 第28-30页 |
·光探测器的工艺流程 | 第28-30页 |
第四章 激光诱导扩散 | 第30-44页 |
·扩散过程的理论基础 | 第30-32页 |
·扩散机制 | 第30页 |
·扩散杂质浓度分布 | 第30-32页 |
·激光诱导扩散的试验工艺 | 第32-34页 |
·试验装置 | 第32-33页 |
·试验步骤 | 第33-34页 |
·计算机温度测量系统 | 第34-39页 |
·电路设计 | 第35-39页 |
·软件设计 | 第39页 |
·激光微细加工过程中的对准技术 | 第39-42页 |
·激光焦斑和扩散区的精确对准 | 第39-40页 |
·辐射测温系统和基片上微小热斑的对准 | 第40-42页 |
·横向对准 | 第40-41页 |
·纵向对准 | 第41-42页 |
·对准实验结果 | 第42页 |
·激光诱导扩散结果讨论 | 第42-44页 |
第五章 激光微细加工中辐射测温系统的调焦 | 第44-52页 |
·激光微细加工区温度测量的原理 | 第44-47页 |
·辐射测温法进行温度不接触测量 | 第44-45页 |
·激光微细加工区非接触测温装置和原理 | 第45-47页 |
·调焦误差对温度测量的影响 | 第47-49页 |
·系统调焦的方法 | 第49-51页 |
·粗调 | 第49页 |
·修正 | 第49-50页 |
·微调 | 第50-51页 |
·结论 | 第51-52页 |
第六章 二次离子质谱分析 | 第52-65页 |
·二次离子的发展及应用 | 第52-55页 |
·SIMS 的研究和应用 | 第53-55页 |
·元素及同位素的分析 | 第53页 |
·颗粒物微分析研究 | 第53-54页 |
·团簇、聚合物分析及生物学方面的研究 | 第54-55页 |
·SIMS 的原理和仪器结构 | 第55-58页 |
·原理 | 第55-56页 |
·仪器结构 | 第56-57页 |
·SIMS 的特点 | 第57-58页 |
·SIMS 主要功能 | 第58-60页 |
·质谱分析 | 第58-59页 |
·深度剖析 | 第59页 |
·二次离子成像 | 第59-60页 |
·SIMS 分析中刻蚀区与扩散区的对准方法研究 | 第60-61页 |
·SIMS 试验分析结果 | 第61-65页 |
·样品制备 | 第61页 |
·SIMS 测量 | 第61-62页 |
·杂质浓度分析 | 第62-65页 |
第七章 结论 | 第65-67页 |
致谢 | 第67-68页 |
参考文献 | 第68-72页 |
个人简历 | 第72-73页 |
发表或被录用的论文 | 第73页 |