| 第一章 概论 | 第1-13页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·室温核辐射探测器材料研究现状 | 第9-13页 |
| ·几种可用于室温核辐射探测器的材料 | 第9-10页 |
| ·CdSe材料的特性 | 第10-11页 |
| ·几种核辐射探测器及其电极结构 | 第11-13页 |
| 第二章 核辐射与CdSe的作用方式 | 第13-23页 |
| ·核辐射分类 | 第13页 |
| ·核辐射与物质的作用 | 第13-19页 |
| ·电子与物质的相互作用 | 第13-16页 |
| ·重带电粒子与物质的相互作用 | 第16-17页 |
| ·γ射线与物质的相互作用 | 第17-19页 |
| ·核辐射与CdSe的作用 | 第19-23页 |
| ·脉冲的形成 | 第19-20页 |
| ·脉冲的大小 | 第20-21页 |
| ·~(241)Am的γ射线与CdSe材料的作用 | 第21-23页 |
| 第三章 MIS结构与MS结构的电子输运 | 第23-29页 |
| ·MS结构的电子输运 | 第23-25页 |
| ·理想的MS结构 | 第23-24页 |
| ·表面态、肖特基接触和欧姆接触 | 第24-25页 |
| ·MIS结构的电子输运 | 第25-27页 |
| ·理想的MIS结构 | 第25-26页 |
| ·表面态、表面势和空间电荷分布 | 第26-27页 |
| ·CdSe探测器的电极制备结构 | 第27-29页 |
| 第四章 CdSe探测表面钝化 | 第29-37页 |
| ·CdSe探测器的表面湿氧钝化工艺 | 第29页 |
| ·CdSe表面钝化后XPS分析 | 第29-37页 |
| ·CdSe(110)晶面的湿氧钝化的XPS分析 | 第30-33页 |
| ·CdSe(001)晶面的干氧钝化工艺及XPS分析 | 第33-35页 |
| ·钝化后的CdSe晶片表面元素定量分析 | 第35-37页 |
| 第五章 CdSe探测器的MS结构与MIS结构制备及IV测试 | 第37-49页 |
| ·CdSe探测器漏电的理论分析 | 第37-39页 |
| ·CdSe探测器的极化机理 | 第39-40页 |
| ·CdSe探测器的电极结构制备及IV测试 | 第40-49页 |
| ·CdSe的MSM型光电导探测器制作及IV测试 | 第40-42页 |
| ·CdSe的MIS型光电导探测器制作及IV测试 | 第42-45页 |
| ·CdSe核辐射探测器的MSM结构与MIS结构的比较 | 第45-47页 |
| ·CdSe核辐射探测器的单面电极结构制备与IV曲线分析 | 第47-49页 |
| 第六章 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-52页 |
| 硕士期间发表论文及参加的科研项目 | 第52-53页 |
| 声明 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |
