| 第一章 绪论 | 第1-34页 |
| ·引言 | 第7页 |
| ·太阳能光电转换技术 | 第7-10页 |
| ·p-n 结 | 第8页 |
| ·性能指标 | 第8-10页 |
| ·太阳能电池材料 | 第10-23页 |
| ·硅基材料太阳能电池 | 第10-12页 |
| ·有机高分子材料大阳能薄膜电池 | 第12-13页 |
| ·无机化合物薄膜太阳能电池 | 第13-16页 |
| ·纳米晶薄膜材料太阳能电池 | 第16-22页 |
| ·太阳能电池发展趋势 | 第22-23页 |
| ·硫属半导体材料 | 第23-32页 |
| ·CuInS_2半导体性质 | 第24-27页 |
| ·硫属半导体制备方法 | 第27-32页 |
| ·课题的提出 | 第32-34页 |
| 第二章 硫化镉CdS薄膜的制备与表征 | 第34-52页 |
| ·引言 | 第34-35页 |
| ·实验部分 | 第35-38页 |
| ·实验方案设计 | 第35-37页 |
| ·CdS薄膜的结构表征 | 第37-38页 |
| ·结果与讨论 | 第38-51页 |
| ·前躯体溶液浓度的影响 | 第38-41页 |
| ·硫化温度的影响 | 第41-42页 |
| ·热处理温度的影响 | 第42-47页 |
| ·热处理气氛的影响 | 第47-48页 |
| ·膜厚的影响 | 第48-51页 |
| 本章小结 | 第51-52页 |
| 第三章 铜铟硫CuInS_2薄膜的制备与表征 | 第52-86页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·实验部分 | 第52-57页 |
| ·结果与讨论 | 第57-84页 |
| ·溶剂的影响 | 第57-59页 |
| ·工艺过程的影响 | 第59-60页 |
| ·硫化温度的影响 | 第60-62页 |
| ·前驱体溶液物质配比的影响 | 第62-68页 |
| ·热处理温度的影响 | 第68-71页 |
| ·热处理时间的影响 | 第71-73页 |
| ·热处理气氛的影响 | 第73-77页 |
| ·前驱体溶液物质浓度的影响 | 第77-81页 |
| ·膜厚的影响 | 第81-84页 |
| 本章小结 | 第84-86页 |
| 第四章 铜铟镓硫CuInS_(1-x)Ga_xS_2薄膜的制备与表征 | 第86-98页 |
| ·引言 | 第86-87页 |
| ·实验部分 | 第87-88页 |
| ·实验方案 | 第87页 |
| ·CuInS_(1-x)Ga_xS_2薄膜的结构表征 | 第87-88页 |
| ·结果与讨论 | 第88-97页 |
| ·CuGaS_2制备与表征 | 第88-94页 |
| ·CuInS_(1-x)Ga_xS_2薄膜的制备与表征 | 第94-97页 |
| 本章小结 | 第97-98页 |
| 第五章 结论 | 第98-100页 |
| 参考文献 | 第100-112页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114页 |
