| 第一章 引言 | 第1-14页 |
| 1． 1 肖特基源漏MOSFET概述 | 第8-10页 |
| 1． 2 几种SBSD-MOSFET结构 | 第10-13页 |
| 1． 3 本文的主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 SBSD-MOSFET的载流子输运机理及模型 | 第14-22页 |
| 2． 1 肖特基接触及载流子输运机理 | 第14-17页 |
| 2． 1． 1 肖特基接触势垒高度 | 第14页 |
| 2． 1． 2 肖特基接触的导电机制 | 第14-15页 |
| 2． 1． 3 电流输运方程 | 第15-17页 |
| 2． 2 SBSD-MoSFET的基本模型 | 第17-21页 |
| 2． 2． 1 SBSD-MOSFET的工作机理 | 第17-20页 |
| 2． 2． 2 SBSD-MOSFET的隧穿泄漏电流机理 | 第20-21页 |
| 2． 3 本章小结 | 第21-22页 |
| 第三章 体硅SBSD-MOSFET的模拟研究 | 第22-34页 |
| 3． 1 模拟模型和参数的选取 | 第22-27页 |
| 3． 1． 1 DESSIS简介 | 第22-23页 |
| 3． 1． 2 求解的基本方程 | 第23页 |
| 3． 1． 3 模型的选取与参数的选择 | 第23-26页 |
| 3． 1． 4 算法的设置 | 第26-27页 |
| 3． 2 体硅SBSD-MOSFET的模拟研究 | 第27-32页 |
| 3． 2． 1 体硅N沟SBSD-MOSFET的转移特性。 | 第27-29页 |
| 3． 2． 2 体硅N沟SBSD-MOSFET的反栅压泄漏电流的分类 | 第29-31页 |
| 3． 2． 3 体硅P沟SBSD-MOSFET的转移特性。 | 第31-32页 |
| 3． 3 本章小结 | 第32-34页 |
| 第四章 SOI SBSD-MOSFET的模拟研究 | 第34-44页 |
| 4． 1 SOI结构N沟SBSD-MOSFET的模拟研究 | 第34-37页 |
| 4．1． 1 SOI结构N沟SBSD-MOSFET的转移特性 | 第34-36页 |
| 4． 1． 2 侧墙厚度对SOI SBSD-MOSFET特性的影响 | 第36-37页 |
| 4． 2 侧墙不对称SOI SBSD-MOSFET的模拟研究 | 第37-42页 |
| 4． 2． 1 不对称侧墙SOI结构N沟SBSD-MOSFET的特性的模拟研究 | 第37-39页 |
| 4． 2． 2 一些参数对不对称侧墙SOI结构N沟SBSD-MOSFET的影响 | 第39-41页 |
| 4． 2． 3 不对称侧墙SOIP沟SBSD-MOSFET的模拟研究 | 第41-42页 |
| 4． 3 本章小结 | 第42-44页 |
| 第五章 主要结论 | 第44-46页 |
| 致谢 | 第46-47页 |
| 参考文献 | 第47-51页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第51页 |
