| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| 第一章 前言 | 第10-12页 |
| 第二章 文献综述 | 第12-32页 |
| 第一节 外延生长 | 第12-19页 |
| 2．1．1 硅片清洗和自然氧化物去除 | 第12-13页 |
| 2．1．2 气相外延生长的热动力学 | 第13-17页 |
| 2．1．3 气体流速与硅片位置对生长速率的影响 | 第17-19页 |
| 第二节 外延生长缺陷 | 第19-26页 |
| 2．2．1 堆垛层错 | 第20页 |
| 2．2．2 滑移位错 | 第20-21页 |
| 2．2．3 失配位错 | 第21-26页 |
| 2．2．3．1 失配位错的观察 | 第22页 |
| 2．2．3．2 p／p~+硅外延片中的晶格失配 | 第22-23页 |
| 2．2．3．3 失配位错的起源、形核与增殖 | 第23-25页 |
| 2．2．3．4 失配位错间的相互作用 | 第25-26页 |
| 第三节 重掺硼硅单晶的氧沉淀行为 | 第26-32页 |
| 2．3．1 氧沉淀的形核机理 | 第26-28页 |
| 2．3．2 在重掺硼单晶中杂质的扩散 | 第28页 |
| 2．3．3 重掺硼硅单晶的氧沉淀密度 | 第28-30页 |
| 2．3．4 重掺硼硅单晶的氧沉淀形态 | 第30页 |
| 2．3．5 氧沉淀的腐蚀显示技术 | 第30-32页 |
| 第三章 实验设备 | 第32-38页 |
| 第一节 生长设备 | 第32-33页 |
| 3．1．1 LPE-PE2061(s)外延炉 | 第32-33页 |
| 3．1．2 HAMCO CG-3000单晶炉 | 第33页 |
| 第二节 测试设备 | 第33-37页 |
| 3．2．1 傅立叶红外干涉仪 | 第33-34页 |
| 3．2．2 汞探针C-V仪 | 第34-35页 |
| 3．2．3 金相显微镜 | 第35-36页 |
| 3．2．4 四探针半导体材料测试仪 | 第36页 |
| 3．2．5 硅片厚度弯曲度平整度无接触测试仪 | 第36页 |
| 3．2．6 扩展电阻仪 | 第36-37页 |
| 第三节 退火设备 | 第37-38页 |
| 3．3．1 常规退火炉 | 第37页 |
| 3．3．2 快速热退火炉 | 第37-38页 |
| 第四章 利用掺锗的重掺硼硅衬底生长P／P~+硅外延片 | 第38-56页 |
| 第一节 硅外延片的制备过程 | 第39-41页 |
| 4．1．1 掺锗的重掺硼硅单晶的生长 | 第39-40页 |
| 4．1．2 p/p~+硅外延片的生长 | 第40-41页 |
| 第二节 利用掺锗的重掺硼硅衬底生长无失配位错的p/p~+外延片 | 第41-52页 |
| 4．2．1 失配位错的观察 | 第41页 |
| 4．2．2 失配位错的形成机制 | 第41-43页 |
| 4．2．3 锗、硼在硅单晶棒中的纵向浓度分布模拟以及应力补偿 | 第43-44页 |
| 4．2．4 临界膜厚的计算 | 第44-46页 |
| 4．2．5 利用掺锗的重掺硼硅衬底生长不同膜厚的p／p~+外延片 | 第46-51页 |
| 4．2．5．1 外延膜厚为10μm的p／p~+硅外延片 | 第46-47页 |
| 4．2．5．2 外延膜厚为27μm的p／p~+硅外延片 | 第47-48页 |
| 4．2．5．3 外延膜厚为50μm的p／p~+硅外延片 | 第48-49页 |
| 4．2．5．4 外延膜厚为100μm的p／p~+硅外延片 | 第49-51页 |
| 4．2．6 小结 | 第51-52页 |
| 第三节 改进的p/p~+硅外延片在模拟MOS器件工艺的热处理流程中失配位错的情况 | 第52-54页 |
| 4．3．1 实验样品及其制备过程 | 第52页 |
| 4．3．2 模拟MOS器件工艺的热处理流程 | 第52-53页 |
| 4．3．3 结果和讨论 | 第53-54页 |
| 4．3．4 小结 | 第54页 |
| 第四节 p／p~+硅外延片中硼的外扩散 | 第54-56页 |
| 4．4．1 实验结果与讨论 | 第54-55页 |
| 4．4．2 小结 | 第55-56页 |
| 第五章 锗对重掺硼直拉硅的氧沉淀的影响 | 第56-66页 |
| 第一节 实验 | 第57-59页 |
| 第二节 实验结果和讨论 | 第59-65页 |
| 第三节 结论 | 第65-66页 |
| 第六章 总结 | 第66-68页 |
| 参考文献： | 第68-82页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第82-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
