第一章 绪论 | 第1-38页 |
·引言 | 第11-12页 |
·纳米科技与半导体材料 | 第12-20页 |
·纳米材料及其特性 | 第12-15页 |
·纳米半导体材料及其研究现状 | 第15-18页 |
·纳米半导体材料的应用 | 第18-20页 |
·新型半导体材料研究的研究现状与发展动向 | 第20-28页 |
·本论文的选题目的、研究对象和研究内容 | 第28-31页 |
·选题目的 | 第28页 |
·研究对象 | 第28-29页 |
·研究内容 | 第29-31页 |
参考文献 | 第31-38页 |
第二章 TiO_2纳米管的制备与表征 | 第38-56页 |
·引言 | 第38-39页 |
·实验过程 | 第39-40页 |
·实验结果与讨论 | 第40-50页 |
·物相分析 | 第40页 |
·形貌与结构分析 | 第40-43页 |
·纳米管端口结构分析 | 第43-45页 |
·TiO_2纳米管的生长机理 | 第45-46页 |
·反应条件对产物的影响 | 第46页 |
·TiO_2纳米管的光学性能 | 第46-48页 |
·TiO_2纳米管的光催化性能 | 第48-50页 |
·本章小结 | 第50-52页 |
参考文献 | 第52-56页 |
第三章 钛酸钾纳米线的制备、表征与结构模拟 | 第56-66页 |
·引言 | 第56-57页 |
·实验过程 | 第57页 |
·样品的制备 | 第57页 |
·表征实验 | 第57页 |
·实验结果与讨论 | 第57-63页 |
·本章小结 | 第63-64页 |
参考文献 | 第64-66页 |
第四章 空心四足ZnO晶须的制备与表征 | 第66-79页 |
·引言 | 第66-67页 |
·实验过程 | 第67页 |
·实验结果与讨论 | 第67-77页 |
·物相分析 | 第68-69页 |
·微观结构分析 | 第69-71页 |
·样品成分分析 | 第71页 |
·反应条件对产物的影响 | 第71-74页 |
·四足空心ZnO晶须柱状样品的生长控制 | 第74页 |
·形成机理初探 | 第74-76页 |
·四足空心ZnO的光学性能 | 第76-77页 |
·本章小结 | 第77-78页 |
参考文献 | 第78-79页 |
第五章 ZnO纳米线/片阵列的分级生长与表征 | 第79-88页 |
·引言 | 第79页 |
·实验过程 | 第79页 |
·结果与讨论 | 第79-85页 |
·生长过程分析 | 第80-81页 |
·物相、成分分析 | 第81-82页 |
·生长机理探讨 | 第82-85页 |
·本章小结 | 第85-87页 |
参考文献 | 第87-88页 |
第六章 ZnO纳米片状晶体的生长及其表征 | 第88-96页 |
·引言 | 第88页 |
·实验过程 | 第88-89页 |
·结果与讨论 | 第89-94页 |
·物相分析 | 第89页 |
·形貌与微结构分析 | 第89-91页 |
·塔状晶体的形成 | 第91-92页 |
·形成机理 | 第92-94页 |
·本章小结 | 第94-95页 |
参考文献 | 第95-96页 |
第七章 III-V族化合物半导体材料GaN及其应用研究 | 第96-108页 |
·引言 | 第96-97页 |
·III-V族GaN基材料 | 第97-99页 |
·GaN基LED的制备 | 第99-102页 |
·GaN基白光LED的应用研究 | 第102-104页 |
·本章小结 | 第104-105页 |
参考文献 | 第105-108页 |
第八章 总结与展望 | 第108-110页 |
·工作总结 | 第108-109页 |
·后续工作设想 | 第109-110页 |
致谢 | 第110-111页 |
攻博期间的科研工作 | 第111-114页 |
博士学位论文独创性说明 | 第114页 |