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新型结构半导体材料的制备与表征

第一章 绪论第1-38页
   ·引言第11-12页
   ·纳米科技与半导体材料第12-20页
     ·纳米材料及其特性第12-15页
     ·纳米半导体材料及其研究现状第15-18页
     ·纳米半导体材料的应用第18-20页
   ·新型半导体材料研究的研究现状与发展动向第20-28页
   ·本论文的选题目的、研究对象和研究内容第28-31页
     ·选题目的第28页
     ·研究对象第28-29页
     ·研究内容第29-31页
 参考文献第31-38页
第二章 TiO_2纳米管的制备与表征第38-56页
   ·引言第38-39页
   ·实验过程第39-40页
   ·实验结果与讨论第40-50页
     ·物相分析第40页
     ·形貌与结构分析第40-43页
     ·纳米管端口结构分析第43-45页
     ·TiO_2纳米管的生长机理第45-46页
     ·反应条件对产物的影响第46页
     ·TiO_2纳米管的光学性能第46-48页
     ·TiO_2纳米管的光催化性能第48-50页
   ·本章小结第50-52页
 参考文献第52-56页
第三章 钛酸钾纳米线的制备、表征与结构模拟第56-66页
   ·引言第56-57页
   ·实验过程第57页
     ·样品的制备第57页
     ·表征实验第57页
   ·实验结果与讨论第57-63页
   ·本章小结第63-64页
 参考文献第64-66页
第四章 空心四足ZnO晶须的制备与表征第66-79页
   ·引言第66-67页
   ·实验过程第67页
   ·实验结果与讨论第67-77页
     ·物相分析第68-69页
     ·微观结构分析第69-71页
     ·样品成分分析第71页
     ·反应条件对产物的影响第71-74页
     ·四足空心ZnO晶须柱状样品的生长控制第74页
     ·形成机理初探第74-76页
     ·四足空心ZnO的光学性能第76-77页
   ·本章小结第77-78页
 参考文献第78-79页
第五章 ZnO纳米线/片阵列的分级生长与表征第79-88页
   ·引言第79页
   ·实验过程第79页
   ·结果与讨论第79-85页
     ·生长过程分析第80-81页
     ·物相、成分分析第81-82页
     ·生长机理探讨第82-85页
   ·本章小结第85-87页
 参考文献第87-88页
第六章 ZnO纳米片状晶体的生长及其表征第88-96页
   ·引言第88页
   ·实验过程第88-89页
   ·结果与讨论第89-94页
     ·物相分析第89页
     ·形貌与微结构分析第89-91页
     ·塔状晶体的形成第91-92页
     ·形成机理第92-94页
   ·本章小结第94-95页
 参考文献第95-96页
第七章 III-V族化合物半导体材料GaN及其应用研究第96-108页
   ·引言第96-97页
   ·III-V族GaN基材料第97-99页
   ·GaN基LED的制备第99-102页
   ·GaN基白光LED的应用研究第102-104页
   ·本章小结第104-105页
 参考文献第105-108页
第八章 总结与展望第108-110页
   ·工作总结第108-109页
   ·后续工作设想第109-110页
致谢第110-111页
攻博期间的科研工作第111-114页
博士学位论文独创性说明第114页

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