应用于微纳机电器件制造的电化学深刻蚀技术
| 第一章 MEMS系统概述 | 第1-25页 |
| ·MEMS概述 | 第13-15页 |
| ·MEMS简介 | 第13-14页 |
| ·常用的MEMS材料及加工技术 | 第14-15页 |
| ·光辅助电化学深刻蚀技术概述 | 第15-22页 |
| ·硅材料的刻蚀方法简介 | 第15-20页 |
| ·国内外电化学深刻蚀技术的研究现状 | 第20-22页 |
| ·本论文研究内容及所采用的技术路线简介 | 第22-23页 |
| ·本论文研究的意义 | 第23-24页 |
| ·小结 | 第24-25页 |
| 第二章 电化学深刻蚀技术的原理 | 第25-37页 |
| ·多孔硅腐蚀的基本原理 | 第25-27页 |
| ·电化学深刻蚀技术的基本原理 | 第27-29页 |
| ·实验装置 | 第29-34页 |
| ·电化学装置 | 第29-31页 |
| ·工艺控制软件介绍 | 第31-33页 |
| ·硅衬底和电解液 | 第33-34页 |
| ·电化学深刻蚀工艺介绍 | 第34-36页 |
| ·电化学深刻蚀准备工作 | 第34-35页 |
| ·电化学深刻蚀工艺 | 第35-36页 |
| ·本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 电化学腐蚀技术的影响因素 | 第37-48页 |
| ·氢腐酸浓度对电化学深刻蚀技术的影响 | 第37-39页 |
| ·电化学深刻蚀过程中的电流电压特性分析 | 第39-43页 |
| ·光照对电化学腐蚀技术的影响 | 第43-45页 |
| ·温度对电化学腐蚀技术的影响 | 第45-46页 |
| ·磁场对电化学腐蚀技术的影响 | 第46页 |
| ·本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 电化学深刻蚀技术的主导效应 | 第48-62页 |
| ·边缘效应 | 第48-51页 |
| ·边缘效应的发现 | 第48-49页 |
| ·分析产生边缘效应的原因 | 第49页 |
| ·边缘效应的抑制 | 第49-51页 |
| ·电化学抛光效应 | 第51-54页 |
| ·电化学抛光效应在电化学深刻蚀工艺上的表现 | 第51-52页 |
| ·电化学抛光效应在电化学深刻蚀工艺上的特殊用途 | 第52-54页 |
| ·低应力氮化硅掩膜的问题 | 第54-58页 |
| ·电化学腐蚀过程中的横向渗透问题 | 第54-57页 |
| ·缺陷腐蚀时的掩膜问题 | 第57-58页 |
| ·电化学腐蚀过程中的电流分布问题 | 第58-59页 |
| ·预制缺陷引起的图形分叉问题 | 第59-60页 |
| ·本章小结 | 第60-62页 |
| ·主导效应对版图设计规则的影响 | 第60-61页 |
| ·主导效应电化学深刻蚀工艺的影响 | 第61-62页 |
| 第五章 利用电化学腐蚀技术所制造的MEMS结构 | 第62-67页 |
| ·硅基二维光子晶体结构 | 第62-64页 |
| ·利用电化学深刻蚀技术制作梳状结构 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-67页 |
| 第六章 总结 | 第67-78页 |
| ·结论 | 第67-68页 |
| ·电化学深刻蚀技术运用展望 | 第68-78页 |
| ·在高分辨硅微通道板光电倍增器件上的应用 | 第68-70页 |
| ·利用电化学深刻蚀技术制作超厚氧化层 | 第70-71页 |
| ·利用电化学深刻蚀技术制作MEMS微针头 | 第71-78页 |
