注入钒形成碳化硅半绝缘层的理论和技术研究
| 第一章 引言 | 第1-15页 |
| 1．1 碳化硅材料的特性 | 第9-11页 |
| 1．2 制备碳化硅半绝缘层的原理及意义 | 第11-14页 |
| 1．3 本文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 碳化硅中的深能级 | 第15-28页 |
| 2．1 碳化硅中的浅能级杂质 | 第15-17页 |
| 2．2 碳化硅中的过渡金属能级 | 第17-22页 |
| 2．3 钒在碳化硅中的电荷状态及能级 | 第22-28页 |
| 2．3．1 红外辐射和吸收实验 | 第22-23页 |
| 2．3．2 电子自旋共振 | 第23-24页 |
| 2．3．3 深能级瞬态谱实验 | 第24页 |
| 2．3．4 霍尔效应实验 | 第24-26页 |
| 2．3．5 光导纳光谱实验 | 第26-28页 |
| 第三章 半绝缘碳化硅的形成方法 | 第28-33页 |
| 3．1 半绝缘层的两种形成方法 | 第28-29页 |
| 3．2 注入钒形成半绝缘层的机理 | 第29-33页 |
| 第四章 钒离子注入技术及Trim模拟 | 第33-41页 |
| 4．1 离子注入技术概述 | 第33-34页 |
| 4．2 注入粒子的射程分布及其模拟结果 | 第34-36页 |
| 4．3 入射粒子在靶中的浓度分布及模拟 | 第36-38页 |
| 4．4 离子注入的损伤 | 第38-39页 |
| 4．5 结论 | 第39-41页 |
| 第五章 钒离子注入的实验研究 | 第41-52页 |
| 5．1 高能钒离子注入实验 | 第41-47页 |
| 5．1．1 样品准备 | 第41-42页 |
| 5．1．2 实验步骤 | 第42-44页 |
| 5．1．3 分析及结论 | 第44-47页 |
| 5．2 低能钒离子注入实验 | 第47-52页 |
| 5．2．1 实验样品及步骤 | 第47-49页 |
| 5．2．2 测试及分析 | 第49-52页 |
| 第六章 结论 | 第52-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 研究成果 | 第61-62页 |
