| 1 概述 | 第1-13页 |
| 1．1 勾形磁场的提出及意义 | 第7-9页 |
| 1．2 国内外现状和研究内容 | 第9-11页 |
| 1．3 课题的目的及内容 | 第11-13页 |
| 2 单晶生长中熔体对流与杂质分凝 | 第13-21页 |
| 2．1 单晶生长过程坩埚熔体的对流 | 第13-15页 |
| 2．2 单晶生长过程杂质输运与分凝 | 第15-21页 |
| 2．2．1 溶液中氧的来源及浓度 | 第16-17页 |
| 2．2．2 溶液中杂质的输运和分凝 | 第17-21页 |
| 3 磁场抑制坩埚熔体对流的原理 | 第21-38页 |
| 3．1 磁场抑制熔体对流的原理 | 第21-24页 |
| 3．2 勾形磁场的结构与工作原理 | 第24-28页 |
| 3．2．1 勾形磁场的结构 | 第24-26页 |
| 3．2．2 勾形磁场的工作原理 | 第26-28页 |
| 3．3 勾形磁场的抑制熔体对流的机理 | 第28-38页 |
| 3．3．1 勾形磁场的磁力线分布 | 第28-29页 |
| 3．3．2 勾形磁场抑制熔体对流的机理 | 第29-33页 |
| 3．3．3 磁场强度 B_r与等效于重力加速度g_eff的关系 | 第33-38页 |
| 4 勾形磁场的计算与参数的设计 | 第38-58页 |
| 4．1 勾形磁场的模拟与计算 | 第38-47页 |
| 4．1．1 ANSYS软件与模拟过程~[23] | 第38-40页 |
| 4．1．2 建立物理参数 | 第40-41页 |
| 4．1．3 网格化有限元模型的建立 | 第41-45页 |
| 4．1．4 边界条件的确定、加载和求解 | 第45-47页 |
| 4．2 模拟结果分析与优化 | 第47-58页 |
| 4．2．1 磁场分布的模拟结果 | 第47-50页 |
| 4．2．2 线圈匝数和电流对磁场强度的影响 | 第50-53页 |
| 4．2．3 线圈距离对磁场强度的影响 | 第53-54页 |
| 4．2．4 功率的分析与优化 | 第54-58页 |
| 5 模拟结果的验证与分析 | 第58-63页 |
| 5．1 径向分量 B_r随径向r的变化 | 第58-59页 |
| 5．2 径向分量 B_r随纵向Z的变化 | 第59-60页 |
| 5．3 纵向分量 B_r随纵向Z的变化 | 第60-61页 |
| 5．4 主要模拟参数的验证 | 第61-63页 |
| 6 结论 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 发表论文 | 第69页 |