多孔硅的光电特性研究及阵列化多孔硅的制备
| 第一章 文献综述 | 第1-35页 |
| 1．1 多孔硅简介 | 第10-17页 |
| 1．1．1 多孔硅的制备 | 第10-13页 |
| 1．1．2 多孔硅的形成机理 | 第13-16页 |
| 1．1．3 多孔硅的应用 | 第16-17页 |
| 1．2 多孔硅的光致发光 | 第17-20页 |
| 1．2．1 量子限制效应模型 | 第17-18页 |
| 1．2．2 硅本征表面态模型 | 第18页 |
| 1．2．3 量子限制效应—发光中心发光模型 | 第18-19页 |
| 1．2．4 其他发光模型 | 第19-20页 |
| 1．3 多孔硅与有机物的复合 | 第20-22页 |
| 1．3．1 多孔硅与有机物的复合发光特性 | 第20-21页 |
| 1．3．2 多孔硅与有机物的复合光伏特性 | 第21-22页 |
| 1．4 多孔硅二维光子晶体 | 第22-28页 |
| 1．4．1 光子晶体 | 第22-25页 |
| 1．4．2 多孔硅在光子晶体上的应用 | 第25-28页 |
| 1．5 研究展望和存在的问题 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-35页 |
| 第二章 多孔硅的少子寿命与光致发光 | 第35-51页 |
| 2．1 引言 | 第35-36页 |
| 2．2 实验原理 | 第36-37页 |
| 2．3 实验方法 | 第37-38页 |
| 2．4 实验结果和讨论 | 第38-48页 |
| 2．4．1 新鲜多孔硅的不同区域 | 第38-40页 |
| 2．4．2 时效对多孔硅少子寿命和发光的影响 | 第40-42页 |
| 2．4．3 氧化对多孔硅少子寿命和发光的影响 | 第42-43页 |
| 2．4．4 HF处理对多孔硅少子寿命和发光的影响 | 第43-45页 |
| 2．4．5 不同溶液对多孔硅少子寿命和发光的影响 | 第45-46页 |
| 2．4．6 多孔硅表面态与光致发光的关系 | 第46-48页 |
| 2．5 结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第三章 多孔硅/P30T的光电特性研究 | 第51-64页 |
| 3．1 引言 | 第51-52页 |
| 3．2 实验原理 | 第52-54页 |
| 3．3 实验方法 | 第54-55页 |
| 3．4 实验结果 | 第55-61页 |
| 3．4．1 P30T的紫外吸收谱 | 第55页 |
| 3．4．2 多孔硅/P30T的表面形貌 | 第55-57页 |
| 3．4．3 多孔硅/P30T的I-V特性 | 第57-59页 |
| 3．4．4 多孔硅/P30T的光伏特性 | 第59-60页 |
| 3．4．5 多孔硅/P30T的发光特性 | 第60-61页 |
| 3．5 结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第四章 阵列化多孔硅的制备 | 第64-85页 |
| 4．1 引言 | 第64-65页 |
| 4．2 实验方法 | 第65-67页 |
| 4．3 实验结果和讨论 | 第67-81页 |
| 4．3．1 KOH碱腐蚀 | 第67-69页 |
| 4．3．2 导电类型的影响 | 第69-70页 |
| 4．3．3 电阻率的影响 | 第70-72页 |
| 4．3．4 电流密度的影响 | 第72-74页 |
| 4．3．5 HF浓度的影响 | 第74-75页 |
| 4．3．6 背部光照的影响 | 第75-76页 |
| 4．3．7 腐蚀时间的影响 | 第76-77页 |
| 4．3．8 温度的影响 | 第77-78页 |
| 4．3．9 电解液成分的影响 | 第78-79页 |
| 4．3．10 阵列化多孔硅的优化条件 | 第79-80页 |
| 4．3．11 阵列化多孔硅的生长过程 | 第80-81页 |
| 4．4 结论 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
| 第五章 结论 | 第85-87页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第87-88页 |
| 致谢 | 第88页 |
