| 中文摘要 | 第1-7页 |
| 英文摘要 | 第7-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-15页 |
| ·硅基光电集成必要性 | 第10页 |
| ·改善硅光发射的方法 | 第10-11页 |
| ·半导体纳米晶，量子点和量子约束效应 | 第11页 |
| ·Si量子点发光研究进展平口现状 | 第11-13页 |
| ·本文的工作目标 | 第13页 |
| ·论文的安排以及取得的主要成就 | 第13-15页 |
| 第二章 镶嵌在SiO_2介质中的纳米晶Si的制备和表征 | 第15-28页 |
| ·纳米晶的制备法 | 第15页 |
| ·纳米晶硅制备方法 | 第15-16页 |
| ·镶嵌在SiO_2介质中的纳米晶Si的制备方法 | 第16-17页 |
| ·蒸发SiO制备nc-Si／SiO_2 | 第17-18页 |
| ·原理 | 第17页 |
| ·制备备过程 | 第17-18页 |
| ·SiO_X薄膜平口nc-Si的表征 | 第18-27页 |
| ·SiO_X薄膜成分分析 | 第19-22页 |
| ·1100℃热处理前后薄膜的拉曼谱 | 第22-24页 |
| ·1100℃热处理前后薄膜的XRD谱 | 第24-26页 |
| ·纳米晶硅的光致发光谱 | 第26-27页 |
| ·总结 | 第27-28页 |
| 第三章 SiO_X薄膜相变及荧光分析 | 第28-44页 |
| ·实验 | 第28页 |
| ·荧光谱随热处理温度的演变 | 第28-31页 |
| ·900℃以下温度热处理后的荧光谱 | 第28-29页 |
| ·900℃以下温度热处理且钝化后的荧光谱 | 第29-30页 |
| ·1100℃热处理的SiO_X薄膜钝化前后PL谱 | 第30-31页 |
| ·拉曼谱分析 | 第31-33页 |
| ·荧光分析 | 第33-39页 |
| ·nc-Si形成的微观过程 | 第33-36页 |
| ·氧缺陷荧光机制 | 第36-37页 |
| ·Si团簇荧光 | 第37-38页 |
| ·900℃热处理后荧光讨论 | 第38-39页 |
| ·进一步认识nc-Si／SiO_2荧光 | 第39-43页 |
| ·总结 | 第43-44页 |
| 第四章 nc-Si／SiO_2可调荧光研究 | 第44-50页 |
| ·体现量子尺寸效应的方法35 | 第44页 |
| ·SiO_X薄膜厚度与PL能量峰位关系 | 第44-45页 |
| ·模型及解释 | 第45-48页 |
| ·沉积速率与荧光强度关系 | 第48-49页 |
| ·总结 | 第49-50页 |
| 第五章 镶嵌在SiO_2介质中的纳米晶Si光致发光机制研究 | 第50-65页 |
| ·氧的作用 | 第51-52页 |
| ·nc-Si／SiO_2结构的界面层 | 第52-55页 |
| ·荧光谱随热处理时间的演变 | 第55-57页 |
| ·结果分析 | 第57-64页 |
| ·用“three-region”模型分析 | 第57-59页 |
| ·荧光谱拟合 | 第59-62页 |
| ·荧光起源分析 | 第62-64页 |
| ·结论 | 第64-65页 |
| 第六章 CeF_3掺杂提高镶嵌在二氧化硅介质中的纳米晶硅的荧光强度 | 第65-80页 |
| ·关于CeF_3 | 第65-66页 |
| ·能量传递 | 第66页 |
| ·掺杂工艺 | 第66-68页 |
| ·掺杂结果 | 第68-75页 |
| ·CeF_3薄膜的荧光 | 第68页 |
| ·“一步”法掺杂 | 第68-71页 |
| ·“两步”法掺杂 | 第71-75页 |
| ·荧光增强机制研究 | 第75-77页 |
| ·二氧化铈掺杂 | 第77-79页 |
| ·总结 | 第79-80页 |
| 第七章 总结和展望 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-91页 |
| 致谢 | 第91-92页 |
