| 第一章 绪论 | 第1-14页 |
| 1． 1 研究背景 | 第8-10页 |
| 1． 2 国内外研究进展 | 第10-13页 |
| 1． 3 本文的主要工作 | 第13-14页 |
| 第二章 SiC 的离子注入理论和模拟 | 第14-28页 |
| 2． 1 解析算法 | 第14-18页 |
| 2． 1． 1 统计分布函数的特征参数 | 第15页 |
| 2． 1． 2 几种常用分布函数 | 第15-17页 |
| 2． 1． 3 多能离子注入形成箱型载流子分布 | 第17-18页 |
| 2． 2 蒙特卡罗算法 | 第18-23页 |
| 2． 2． 1 考虑不同条件对于TRIM模拟结果的影响 | 第18-21页 |
| 2． 2． 2 TRIM模拟结果 | 第21-23页 |
| 2． 3 采用PearsonⅣ型函数对TRIM模拟的结果进行修正 | 第23-27页 |
| 2． 3． 1 对TRIM模拟的结果和试验测试图进行比较 | 第24页 |
| 2． 3． 2 PearsonⅣ函数表征离子注入浓度分布 | 第24-26页 |
| 2． 3． 3 PearsonⅣ型函数对TRIM模拟的结果修正 | 第26-27页 |
| 2． 4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 SiC 材料的欧姆接触研究 | 第28-39页 |
| 3． 1 欧姆接触的传统理论 | 第28-31页 |
| 3． 1． 1 欧姆接触理论 | 第28-30页 |
| 3． 1． 2 比接触电阻ρ_c | 第30页 |
| 3． 1． 3 比接触电阻测试方法 | 第30-31页 |
| 3． 2 n型SiC欧姆接触的形成机理和欧姆接触的改进 | 第31-34页 |
| 3． 2． 1 n型SiC欧姆接触的形成机理 | 第31-33页 |
| 3． 2． 2 n型SiC欧姆接触稳定性研究及欧姆接触的改进 | 第33-34页 |
| 3． 3 p型SiC欧姆接触的研究 | 第34-37页 |
| 3． 3． 1 p型4HSiC欧姆接触的机理 | 第34-36页 |
| 3． 3． 2 p型SiC欧姆接触稳定性研究及欧姆接触的改进 | 第36-37页 |
| 3． 4 Ni同时做n型和p型欧姆接触，减少工艺难度 | 第37-38页 |
| 3． 5 本章小结 | 第38-39页 |
| 第四章 离子注入制备SiC欧姆接触的工艺研究 | 第39-51页 |
| 4． 1 离子注入制备欧姆接触条件研究 | 第39-43页 |
| 4． 1． 1 注入杂质的选择 | 第39-40页 |
| 4． 1． 2 离子注入采用的能量和注入温度 | 第40页 |
| 4． 1． 3 离子注入剂量 | 第40-41页 |
| 4． 1． 4 退火时间、退火温度 | 第41-42页 |
| 4． 1． 5 退火中的掩膜和退火氛围 | 第42-43页 |
| 4． 2 工艺流程和版图 | 第43-50页 |
| 4． 2． 1 工艺流程 | 第43-45页 |
| 4． 2． 2 版图 | 第45页 |
| 4． 2． 3 测试方法 | 第45-49页 |
| 4． 2． 4 流片情况 | 第49-50页 |
| 4． 3 本章小结 | 第50-51页 |
| 结论 | 第51-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 参考文献 | 第53-58页 |
| 攻读硕士期间的研究成果 | 第58页 |
