| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-11页 |
| 第一章 引言 | 第11-29页 |
| ·ULSI集成电路的新材料与新工艺 | 第11-12页 |
| ·ULSI集成电路的衬底工程与能带工程——SOI技术与应变硅技术 | 第12-22页 |
| ·SOI技术 | 第12-17页 |
| ·应变硅技术 | 第17-22页 |
| ·绝缘体上的硅锗技术 | 第22-28页 |
| ·SGOI技术的特点 | 第22-23页 |
| ·制备SGOI的主要方法 | 第23-27页 |
| ·SGOI的制备技术的发展要求 | 第27-28页 |
| ·本论文的工作 | 第28-29页 |
| 第二章 SiGe热氧化对气氛的选择特性研究 | 第29-42页 |
| ·SiGe材料的热氧化工艺研究进展 | 第29-31页 |
| ·SiGe材料的热氧化特性 | 第29-30页 |
| ·SiGe材料的热氧化存在的问题 | 第30-31页 |
| ·SiGe干氧热氧化工艺研究 | 第31-33页 |
| ·实验过程 | 第32-33页 |
| ·SiGe表征 | 第33页 |
| ·实验结果及分析 | 第33-41页 |
| ·SiGe材料氧化后透射电镜结果分析 | 第33-35页 |
| ·SiGe材料热氧化层组分的能谱分析 | 第35-37页 |
| ·SiGe材料热氧化厚度的SE分析 | 第37-39页 |
| ·表面AFM表征 | 第39-40页 |
| ·结果讨论 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第三章 制备SGOI的CAP-SIMOX技术研究 | 第42-57页 |
| ·用于SGOI制备的CAP-SIMOX技术的设计思路 | 第42-44页 |
| ·制备SGOI材料的目标 | 第42-43页 |
| ·SIMOX技术制备SGOI的主要不足 | 第43-44页 |
| ·CAP-SIMOX技术 | 第44页 |
| ·实验过程 | 第44-46页 |
| ·SiGe衬底制备 | 第44-45页 |
| ·SiGe的氧化 | 第45页 |
| ·SiGe的CAP-SIMOX工艺 | 第45-46页 |
| ·SGOI材料的表征 | 第46页 |
| ·实验结果与讨论 | 第46-56页 |
| ·SGOI材料的TEM分析 | 第46-47页 |
| ·SGOI材料的SIMS | 第47-49页 |
| ·SGSOI材料四晶衍射分析 | 第49-51页 |
| ·SGOI材料组分及应变大小的Raman测试 | 第51-53页 |
| ·SGOI材料的RBS分析 | 第53-56页 |
| ·本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 氧化增强注氧隔离技术研究 | 第57-68页 |
| ·用于SGOI制备的氧化增强注氧隔离技术的设计思路 | 第57-58页 |
| ·CAP-SIMOX技术带来的启示 | 第57-58页 |
| ·实验过程 | 第58-60页 |
| ·SiGe衬底制备 | 第58页 |
| ·SiGe的O离子注入 | 第58页 |
| ·SiGe的氧化增强退火工艺 | 第58-59页 |
| ·SGOI材料的表征 | 第59-60页 |
| ·实验结果与讨论 | 第60-67页 |
| ·SGOI材料的TEM分析 | 第60-61页 |
| ·SGOI材料的SIMS | 第61-62页 |
| ·SGOI材料的组分及应变大小的测试 | 第62-64页 |
| ·SGOI材料RBS分析 | 第64-67页 |
| ·本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 SIMOX技术制备SGOI材料的剂量、能量窗口研究 | 第68-83页 |
| ·引言 | 第68-69页 |
| ·高剂量SGOI材料的制备 | 第69-72页 |
| ·注入参数和退火工艺 | 第69页 |
| ·TEM分析与讨论 | 第69-72页 |
| ·低剂量SGOI材料的制备 | 第72-79页 |
| ·低剂量SIMOX技术的发展 | 第72-74页 |
| ·注入参数和退火工艺 | 第74页 |
| ·TEM分析 | 第74-76页 |
| ·低剂量SGOI材料质量提高的机理分析 | 第76-79页 |
| ·CAP-SIMOX技术制备SGOI材料的注入剂量能量匹配关系 | 第79-81页 |
| ·本章小结 | 第81-83页 |
| 第六章 SGOI的锗浓缩工艺研究 | 第83-92页 |
| ·SGOI在CAP-SIMOX过程中的锗浓缩效应 | 第83-87页 |
| ·实验过程 | 第83-84页 |
| ·结果与讨论 | 第84-87页 |
| ·SGOI的热氧化锗浓缩工艺研究 | 第87-91页 |
| ·实验过程 | 第87-88页 |
| ·氧化后SGOI组分的AES分析 | 第88-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 第七章 结论 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-109页 |
| 附录1 图片列表 | 第109-112页 |
| 附录2 表格列表 | 第112-113页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文目录 | 第113-116页 |
| 个人简历 | 第116-117页 |
| 学位论文独创性声明 | 第117页 |
| 学位论文使用授权声明 | 第117页 |
