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金属有机配合物M-TCNQ微纳米结构的制备及电学性能研究

摘要第1-8页
Abstract第8-10页
引言第10-12页
第一章 绪论第12-16页
   ·显示器的发展趋势第12-13页
   ·FED的基本原理、优势与目标第13-14页
   ·场发射材料的研究与开发第14页
   ·M-TCNQ的研究概况第14-16页
第二章 理论和实验基础第16-40页
   ·场发射的基本理论第16-18页
   ·碳纳米管的场发射研究进展第18-22页
   ·一维纳米材料的研究第22-29页
     ·纳米材料概述第22-23页
     ·制备和生长机理第23-27页
     ·组装技术第27页
     ·电、光、磁性质及其应用第27-29页
   ·金属有机配合物M-TCNQ的研究现状第29-39页
     ·M-TCNQ的材料种类第29页
     ·M-TCNQ的制备方法和形貌第29-33页
     ·M-TCNQ的晶体结构表征第33-35页
     ·M-TCNQ的性能研究第35-39页
   ·本章小结第39-40页
第三章 M-TCNQ微纳米结构的制备与表征第40-69页
   ·溶液反应法第40-47页
     ·溶液反应法的步骤第41页
     ·SEM表征第41-43页
     ·XRD分析第43-46页
     ·小结第46-47页
   ·蒸气输运反应法第47-55页
     ·蒸气输运反应法的步骤第47-48页
     ·SEM表征第48-51页
     ·XRD测试第51-52页
     ·XPS分析第52-54页
     ·TEM和EDS分析第54-55页
   ·蒸气输运反应法的工艺研究第55-65页
     ·Ag-TCNQ纳米线的生长工艺第55-62页
     ·Cu-TCNQ纳米线的生长工艺第62-65页
   ·M-TCNQ纳米线的Raman谱表征第65-67页
   ·本章小结第67-69页
第四章 M-TCNQ纳米线的生长机理研究第69-77页
   ·实验设计思路第69-70页
   ·实验结果第70-72页
     ·Ag膜的真空热处理行为第70-71页
     ·生长阶段的观察第71-72页
   ·生长机理的分析第72-76页
     ·成核条件和成核方式第72-73页
     ·M-TCNQ纳米线的生长过程解释第73-76页
   ·本章小结第76-77页
第五章 Ag-TCNQ纳米线的电学性质和器件研制第77-88页
   ·单根微纳米线的电学性质第77-84页
     ·微米线的电开关特性(读写擦过程)第77-80页
     ·纳米线的电开关特性第80-84页
   ·纳米线阵列的电双稳特性第84-85页
   ·过电压保护器件研制第85-87页
   ·本章小结第87-88页
第六章 Ag-TCNQ纳米线的功函数测量第88-96页
   ·光电阈值法第88-92页
     ·测量原理第88-90页
     ·UPS谱测量结果第90-92页
   ·STM局域功函数法第92-95页
     ·测量原理第92-94页
     ·STM测量结果第94-95页
   ·本章小结第95-96页
第七章 M-TCNQ纳米线的场发射性能研究第96-116页
   ·引言第96-97页
   ·实验装置和方法第97-98页
   ·M-TCNQ纳米线的场发射测试结果第98-114页
     ·Cu-TCNQ纳米线场发射的初步研究第98-101页
     ·Ag-TCNQ纳米线的场发射测试结果第101-105页
   1).工艺参数的影响第101-103页
   2).尖端修饰的影响第103-104页
   3).极间距的影响第104-105页
     ·M-TCNQ纳米线场发射中的"阶跃"现象第105-106页
     ·M-TCNQ纳米线场发射过程的分析与讨论第106-109页
   1).基片-纳米线界面第106-107页
   2).纳米线的晶体取向结构和导电性第107页
   3).场发射增强因子第107-109页
     ·局域有效功函数的估算第109-114页
   ·本章小结第114-116页
     ·M-TCNQ场发射性能小结第114页
     ·场发射机理小结第114-116页
第八章 结论与展望第116-120页
   ·研究工作总结第116-118页
   ·研究工作展望第118-120页
参考文献第120-127页
攻读博士学位期间(合作)发表的学术论文第127-129页
致谢第129-131页

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