| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-30页 |
| ·GaN 材料简介 | 第12-22页 |
| ·GaN 的性质 | 第12-18页 |
| ·GaN 材料研究简要回顾 | 第18-20页 |
| ·GaN 基器件研究回顾 | 第20-22页 |
| ·纳米科学技术和GaN一维纳米结构研究进展 | 第22-28页 |
| ·本论文的选题依据 | 第28-30页 |
| 第二章 实验及测试条件 | 第30-38页 |
| ·实验设备 | 第30-33页 |
| ·测试表征手段 | 第33-35页 |
| ·实验所用材料及试剂 | 第35-38页 |
| 第三章 沉积薄膜+氨化自组装方法制备GaN 薄膜的研究 | 第38-60页 |
| ·基于磁控溅射方法沉积Ga_2O_3/SiC薄膜+氨化自组装方法制GaN 薄膜的研究 | 第38-52页 |
| ·Ga_2O_3/SiC 薄膜的沉积 | 第38-39页 |
| ·Ga_2O_3/SiC 薄膜样品的氨化自组装反应 | 第39页 |
| ·薄膜的测试表征 | 第39-42页 |
| ·不同实验条件对结果的影响 | 第42-47页 |
| ·在石英和蓝宝石衬底材料上制备GaN 薄膜 | 第47-49页 |
| ·在多孔硅衬底材料上制备GaN 薄膜 | 第49-52页 |
| ·基于电泳方法+氨化自组装方法制备掺镁 GaN 薄膜的研究 | 第52-60页 |
| ·含镁GaN 的制备 | 第53页 |
| ·测试结果及讨论 | 第53-60页 |
| 第四章 GaN 纳米线的研究 | 第60-70页 |
| ·实验 | 第60-61页 |
| ·测试与分析 | 第61-64页 |
| ·表面形貌分析 | 第61-62页 |
| ·XRD 分析 | 第62页 |
| ·FTIR 分析 | 第62-63页 |
| ·TEM 及 SAED 分析 | 第63-64页 |
| ·纳米线随反应时间的变化规律 | 第64-68页 |
| ·不同衬底材料上生长的纳米线 | 第68页 |
| ·纳米线的形成过程 | 第68-69页 |
| ·小结 | 第69-70页 |
| 第五章 总结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-80页 |
| 论文作者在学期间发表的学术论文目录 | 第80-84页 |
| 致谢 | 第84页 |
