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宽禁带半导体纳米结构制备及其场发射应用研究

摘要第1-8页
ABSTRACT第8-10页
目录第10-12页
第一章 宽禁带半导体纳米结构及其场发射综述第12-22页
   ·引言第12-14页
   ·ZNO纳米材料的制备和其场发射应用第14-17页
   ·GAN纳米结构的制备及其应用第17-19页
   ·本论文的工作第19页
 参考文献:第19-22页
第二章 多种衬底上的纳米ZNO结构的制备及其表征第22-39页
   ·引言第22-23页
   ·淀积了金属CU和AG的多孔硅衬底的制备和表征第23-28页
   ·淀积上CU和AG衬底的氧化锌纳米结构的制备和表征第28-34页
   ·多孔硅和纳米硅为衬底的ZNO纳米结构的制备和表征第34-37页
   ·小结第37页
 参考文献:第37-39页
第三章 图形化氧化锌纳米结构的制备及其表征第39-50页
   ·引言第39-40页
   ·图形化生长的机理第40-41页
   ·图形化的催化剂和衬底的制备第41-43页
   ·图形化ZNO纳米结构的制备与表征第43-48页
   ·小结第48页
 参考文献:第48-50页
第四章 ZNO纳米结构的场发射应用第50-60页
   ·引言第50-51页
   ·场发射机制第51-53页
   ·各种形貌的ZNO纳米线的场发射第53-57页
   ·不同衬底上氧化锌纳米结构的场发射第57-58页
   ·小结第58-59页
 参考文献:第59-60页
第五章 GAN纳米结构的制备以及在场发射中的应用第60-71页
   ·引言第60-61页
   ·GAN纳米花和纳米颗粒的制备第61-63页
   ·GAN纳米带的制备及其表征第63-66页
   ·GAN纳米带在场发射中的应用第66-69页
   ·小结第69页
 参考文献:第69-71页
第六章 结论第71-73页
附录1 硕士期间发表的论文第73-75页
致谢第75页

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