| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-32页 |
| 第一节 纳米复合薄膜 | 第13-18页 |
| ·纳米复合薄膜概述 | 第13-14页 |
| ·纳米复合薄膜的制备技术 | 第14-17页 |
| ·纳米复合薄膜的研究方向 | 第17-18页 |
| 第二节 碳化硅(SiC)发光材料研究进展 | 第18-22页 |
| ·碳化硅材料的基本特性及应用 | 第18-19页 |
| ·SiC 发光材料研究现状 | 第19-22页 |
| 第三节 低维 ZnO 纳米材料研究进展 | 第22-30页 |
| ·低维纳米结构材料 | 第22-23页 |
| ·低维 ZnO 材料的基本特性及应用 | 第23-25页 |
| ·低维 ZnO 纳米材料的制备方法 | 第25-30页 |
| 第四节 本论文的选题依据和技术路线 | 第30-32页 |
| 第二章 实验设备与测试表征技术 | 第32-39页 |
| 第一节 实验设备系统简介 | 第32-36页 |
| ·射频磁控溅射系统 | 第32-33页 |
| ·电泳系统 | 第33-34页 |
| ·退火热处理系统 | 第34-35页 |
| ·实验所需主要材料和试剂 | 第35-36页 |
| 第二节 样品的测试和表征技术 | 第36-39页 |
| ·结构和成分测试技术 | 第36-37页 |
| ·形貌测试技术 | 第37-38页 |
| ·光学特性测试技术 | 第38-39页 |
| 第三章 磁控溅射后退火法制备 SiC/SiO_2 纳米复合薄膜 | 第39-50页 |
| 第一节 SiC/SiO_2 纳米复合薄膜的制备 | 第39-41页 |
| ·SiC/SiO_2 复合靶的制备 | 第39-40页 |
| ·硅衬底的处理 | 第40页 |
| ·SiC/SiO_2 纳米复合薄膜的制备过程 | 第40-41页 |
| 第二节 SiC/SiO_2 纳米复合薄膜的特性分析 | 第41-50页 |
| ·X 射线衍射(XRD)分析 | 第41-42页 |
| ·傅里叶红外透射谱(FTIR)分析 | 第42-43页 |
| ·X 射线光电子能谱(XPS)分析 | 第43-46页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM)分析 | 第46-47页 |
| ·光致发光谱(PL)分析 | 第47-49页 |
| ·结论 | 第49-50页 |
| 第四章 热氧化磁控共溅射金属 Zn/SiO_2基质复合薄膜制备低维ZnO 纳米结构 | 第50-64页 |
| 第一节 一维 ZnO 纳米线结构的制备 | 第50-51页 |
| 第二节 一维 ZnO 纳米线结构的特性分析 | 第51-57页 |
| ·X 射线衍射(XRD)分析 | 第51-53页 |
| ·扫描电镜(SEM)分析 | 第53-54页 |
| ·透射电子显微镜(TEM)分析 | 第54-55页 |
| ·高分辨透射电子显微镜(HRTEM)分析 | 第55-56页 |
| ·光致发光谱(PL)分析 | 第56-57页 |
| 第三节 低维 ZnO 纳米结构的生长规律 | 第57-64页 |
| ·退火温度对合成低维 ZnO 纳米结构的影响 | 第57-58页 |
| ·退火时间对合成低维 ZnO 纳米结构的影响 | 第58-61页 |
| ·低维 ZnO 纳米结构形成机理的探讨 | 第61-62页 |
| ·结论 | 第62-64页 |
| 第五章 电泳法制备 ZnO/SiO_2 复合薄膜 | 第64-70页 |
| 第一节 ZnO/SiO_2 复合薄膜制备过程 | 第64页 |
| 第二节 ZnO/SiO_2 复合薄膜的特性分析 | 第64-70页 |
| ·X 射线衍射(XRD)分析 | 第64-66页 |
| ·傅里叶红外透射谱(FTIR)分析 | 第66-67页 |
| ·扫描电镜(SEM)分析 | 第67-68页 |
| ·光致发光谱(PL)分析 | 第68-69页 |
| ·结论 | 第69-70页 |
| 第六章 全文总结 | 第70-73页 |
| 参考文献 | 第73-80页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第80-83页 |
| 致谢 | 第83页 |
