当前位置:
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
半导体三极管(晶体管)
--
晶体管:按性能分
IGBT横向结构参数对特性影响的研究
兼容纵向PNP,纵向NPN双极型晶体管的2.0um集成电路制造工艺的研究
HBT模型参数提取方法及InP基单片集成器件的研究
InP基HBT的理论研究及其在光接收机前端的应用
InP基HBT频率性能分析、参数提取及光接收前端的电路设计
硅磁敏三极管开关集成电路设计
带温度保护电路的SiGe功率晶体管设计
InP基HBT及单片集成光接收机前端的理论与实验研究
InP基HBT的理论研究以及光接收机前端单片集成器件的制备
基于SiGe HBT的高频增益模块
大功率应用条件下绝缘栅双极型晶体管驱动和保护技术的研究
绝缘栅双极晶体管在大功率固态调制器中的应用研究
双极结型晶体管发射结正向I-V特性曲线的汇聚特性
GaN异质结双极晶体管及相关基础研究
4H-SiC npn双极晶体管特性研究
GaN基HEMT耐压结构的研究与设计
GaN HEMT器件等效电路宏模型与测试分析
AlGaN/GaN HEMT电流崩塌效应的测试及仿真研究
InGaP/GaAs微波HBT器件及VCO电路的研究
绝缘栅双极晶体管技术研究
有机静电感应晶体管工作特性的研究
射频功率HBT自热补偿方法研究
微波功率SiGe HBT关键技术研究
智能功率模块测试系统的设计及其若干问题的研究
热电应力下Si/SiGe/Si异质结双极晶体管(HBTs)可靠性实验研究
新结构低功耗IGBT纵向结构的仿真研究
SiGe异质结双极晶体管(SiGe HBT)研究与设计
GeSi/Si异质结双极晶体管(HBT)可靠性实验研究
中大功率IGBT驱动及串并联特性应用研究
IGCT器件的应用研究
IGBT模块热行为及可靠性研究
SiGe异质结双极晶体管及其集成电路的研究
异质结双极晶体管HBT单边增益研究
纳米CMOS工艺中高性能BJT研究与建模
超高频SiGe异质结双极晶体管的可制造性设计
HBT的GP建模及OEIC接收机前端的设计
SiGeC HBT特性分析与建模仿真
微波功率SiGe HBT与基于虚衬底的SiGe HPT的研制
功率IGBT的若干失效问题研究
用于MMIC硅基双极型高频微波晶体管结构、性能研究及工艺开发
4H-SiC金属—半导体双极晶体管的模拟研究
5GHz硅双极晶体管的研制
星用双极型器件带电粒子辐照效应及损伤机理
具有高响应率宽响应范围的硅光电晶体管的设计与研究
双极晶体管电磁脉冲损伤机理研究
4H-SiC缓变掺杂基区双极晶体管研究
双极晶体管总剂量辐射效应及其表征方法研究
4H-SiC隧道双极晶体管的模拟研究
基于L-Edit设计及MINITAB、JMP分析的晶体管(NPN型)大电流特性提升
穿通结构三极管BVCEO仿真分析及一致性提高研究
上一页
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
下一页