| 目录 | 第1-4页 |
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-13页 |
| ·引言 | 第8-9页 |
| ·SiGe HBT 的发展状况 | 第9-10页 |
| ·SiGe HBT 的可靠性研究现状 | 第10-11页 |
| ·本论文的主要工作 | 第11-13页 |
| 第2章 SiGe HBT 设计与制作、可靠性实验系统 | 第13-24页 |
| ·引言 | 第13页 |
| ·SiGe HBT 的制作 | 第13-17页 |
| ·SiGe HBT 器件可靠性实验系统 | 第17-23页 |
| ·器件实验测量方案 | 第17-22页 |
| ·实验数据处理方案 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 SiGe HBT 可靠性实验 | 第24-50页 |
| ·引言 | 第24-27页 |
| ·电应力条件下实验结果 | 第27-44页 |
| ·OC 电应力实验 | 第28-34页 |
| ·FC 电应力实验 | 第34-38页 |
| ·SC 电应力实验 | 第38-43页 |
| ·OC、FC、SC 电应力实验的比较 | 第43-44页 |
| ·热应力条件下的实验结果 | 第44-48页 |
| ·高温存储下器件的退化 | 第44-47页 |
| ·热电组合应力下器件的退化 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第4章 SiGe HBT 的温度特性及结果分析 | 第50-64页 |
| ·引言 | 第50页 |
| ·SiGe HBT 的温度特性 | 第50-56页 |
| ·SiGe HBT 温度特性研究结果的分析 | 第56-62页 |
| ·SiGe HBT 基区材料的禁带宽度 | 第58-59页 |
| ·SiGe HBT 温度特性的启示 | 第59-62页 |
| ·本章小结 | 第62-64页 |
| 总结和结论 | 第64-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第69-70页 |
| 致 谢 | 第70页 |