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InGaP/GaAs微波HBT器件及VCO电路的研究

摘要第1-6页
Abstract第6-8页
目录第8-11页
第一章 引言第11-13页
第二章 文献综述第13-35页
   ·微波器件概述第13-16页
     ·微波器件常用材料体系第13-15页
     ·各种类型的微波器件第15-16页
   ·HBT的特点和研究概况第16-22页
     ·HBT的特点第16-17页
     ·HBT的研究概况第17-19页
     ·InGaP/GaAs HBT的特点和研究概况第19-22页
   ·HBT材料生长技术第22-24页
     ·MBE简介第22页
     ·MBE的基本原理第22-23页
     ·GSMBE技术简介第23-24页
   ·HBT的基本原理第24-25页
   ·HBT的主要特性第25-33页
     ·频率和功率第25-28页
     ·电流增益第28-30页
     ·热可靠性第30页
     ·开启电压和膝点电压第30-33页
   ·小结第33-35页
第三章 InGaP/GaAs HBT仿真与设计第35-61页
   ·MEDICI模拟外延结构设计第35-47页
     ·MEDICI仿真方法及注意事项第35-37页
     ·阻挡层厚度对β的影响第37-38页
     ·基区厚度对β的影响第38-39页
     ·不同结构参数HBT的β和f_T模拟结果第39-41页
     ·不同结构参数的大尺寸HBT特性第41-45页
     ·HBT材料结构设计第45-47页
   ·HBT版图设计第47-51页
   ·无源器件设计第51-58页
     ·MIM电容第51-53页
     ·螺旋电感第53-56页
     ·NiCr电阻第56-57页
     ·变容二极管第57-58页
   ·总版图第58-59页
   ·小结第59-61页
第四章 InGaP/GaAs HBT工艺研究及测试第61-85页
   ·湿法腐蚀工艺研究第61-66页
     ·影响湿法腐蚀的因素第61页
     ·InGaP/GaAs界面腐蚀问题与分析第61-62页
     ·湿法腐蚀实验及结果讨论第62-66页
   ·器件隔离工艺研究第66-69页
     ·腐蚀和注入隔离实验第67-68页
     ·隔离结果与分析第68-69页
   ·欧姆接触工艺与分析第69-72页
   ·Ledge技术第72-74页
   ·空气桥工艺第74-77页
   ·InGaP/GaAs HBT工艺流程第77-81页
   ·HBT器件特性测试和分析第81-83页
   ·小结第83-85页
第五章 X波段HBT VCO设计第85-97页
   ·MMIC简介第85页
   ·HBT的等效电路模型第85-88页
   ·VCO简介第88-90页
   ·VCO设计方法第90-91页
   ·VCO电路的ADS仿真设计第91-95页
   ·小结第95-97页
第六章 总结与展望第97-101页
   ·总结第97-98页
   ·展望第98-101页
参考文献第101-111页
攻读博士学位期间发表论文目录第111-112页
致谢第112-113页
作者简介第113-114页

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