| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·选题背景和研究意义 | 第8-9页 |
| ·国内外研究动态 | 第9-10页 |
| ·论文主要研究内容 | 第10-12页 |
| 第二章 GAN HEMT 器件基本理论研究 | 第12-23页 |
| ·器件结构 | 第12-14页 |
| ·GaN HEMT 工作原理 | 第14-17页 |
| ·GAN HEMT 击穿机理研究 | 第17-20页 |
| ·场板结构提高耐压机理研究 | 第20-23页 |
| 第三章 GAN HEMT 电场分布模型与场板结构设计 | 第23-43页 |
| ·无场板结构GAN HEMT 电场分布模型 | 第23-31页 |
| ·带栅场板结构GAN HEMT 电场分布模型 | 第31-36页 |
| ·栅场板结构的优化设计 | 第36-40页 |
| ·斜场板结构研究 | 第40-43页 |
| 第四章 带栅场板结构GAN HEMT 性能研究 | 第43-53页 |
| ·带栅场板结构GAN HEMT 导通电阻 | 第43-45页 |
| ·带栅场板结构GAN HEMT 频率特性 | 第45-46页 |
| ·带栅场板结构GAN HEMT 电流崩塌效应 | 第46-50页 |
| ·杂质对击穿电压的影响 | 第50页 |
| ·表面态对击穿电压的影响 | 第50-53页 |
| 第五章 结论 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第57-58页 |