| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-11页 |
| ·GAN 基器件的应用前景和研究进展 | 第7-10页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第10-11页 |
| 第二章 GAN HEMT 电流崩塌机理研究 | 第11-19页 |
| ·GAN HEMT 工作原理 | 第11-17页 |
| ·GAN HEMT 电流崩塌原理 | 第17-19页 |
| 第三章 脉冲条件下GAN HEMT 电流崩塌效应的测试及仿真研究 | 第19-41页 |
| ·脉冲条件下GAN HEMT 测试及仿真方案 | 第19-22页 |
| ·栅脉冲测试及仿真 | 第22-35页 |
| ·漏脉冲测试及仿真 | 第35-41页 |
| 第四章 抑制GAN HEMT 电流崩塌效应的器件优化研究 | 第41-57页 |
| ·减少陷阱和表面态 | 第41-42页 |
| ·优化沟道电子温度和表面电场 | 第42-55页 |
| ·加强沟道对电子的限制 | 第55-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 功硕期间取得的研究成果 | 第62-63页 |