4H-SiC隧道双极晶体管的模拟研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·碳化硅材料的基本特性及应用 | 第7-9页 |
| ·4H-SiC研究中遇到的问题 | 第9页 |
| ·4H-SiC双极晶体管的研究意义 | 第9-10页 |
| ·国内外研究进展 | 第10-11页 |
| ·本文的主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 MIS隧穿机理 | 第13-27页 |
| ·隧穿机理 | 第13-15页 |
| ·ISE TCAD模拟中的算法和基本方程 | 第15-17页 |
| ·ISE TCAD简介 | 第15页 |
| ·算法设置 | 第15-16页 |
| ·基本方程 | 第16-17页 |
| ·SiC隧道二极管正向及反向I-V特性模拟 | 第17-25页 |
| ·器件基本结构 | 第17页 |
| ·器件模型和主要参数 | 第17-22页 |
| ·边界条件 | 第22-24页 |
| ·正向I-V特性模拟 | 第24-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 隧道双极晶体管的直流特性 | 第27-43页 |
| ·双极晶体管工作机理及基本结构 | 第27-30页 |
| ·NPN双极晶体管的工作机理 | 第27-29页 |
| ·4H-SiC双极晶体管的基本结构 | 第29-30页 |
| ·隧道双极晶体管直流特性 | 第30-36页 |
| ·隧道双极晶体管的关键问题 | 第30-31页 |
| ·隧道双极晶体管基本结构 | 第31页 |
| ·隧穿电流的组成 | 第31-33页 |
| ·隧道双极晶体管的直流特性 | 第33-34页 |
| ·隧道双极晶体管的击穿特性 | 第34-36页 |
| ·隧道双极晶体管直流增益影响因素 | 第36-40页 |
| ·基区厚度对器件直流特性的影响 | 第37-38页 |
| ·基区掺杂对器件直流特性的影响 | 第38页 |
| ·器件直流增益的温度特性 | 第38-40页 |
| ·增益随时间的退化 | 第40页 |
| ·本章小结 | 第40-43页 |
| 第四章 隧道双极晶体管频率特性 | 第43-53页 |
| ·晶体管交流小信号电流传输特点与频率参数 | 第43-46页 |
| ·晶体管交流小信号的电流传输特点 | 第43页 |
| ·晶体管频率特性的参数 | 第43-46页 |
| ·器件结构对频率特性的影响 | 第46-47页 |
| ·发射极设计 | 第46页 |
| ·基区设计 | 第46-47页 |
| ·集电区设计 | 第47页 |
| ·隧道双极晶体管频率特性模拟 | 第47-50页 |
| ·频率特性的模拟方法 | 第47-48页 |
| ·频率特性的模拟结果及分析 | 第48-50页 |
| ·提高晶体管性能的工艺方法 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-53页 |
| 第五章 结束语 | 第53-55页 |
| 致谢 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
| 硕士期间参加课题 | 第59页 |
| 发表论文情况 | 第59页 |
| 硕士期间获奖情况 | 第59-60页 |
