| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-21页 |
| ·HBT发展概况 | 第12-13页 |
| ·HBT建模方法简介 | 第13-14页 |
| ·单片OEIC光接收机的发展现状 | 第14-16页 |
| ·InP基PIN+HBT单片集成光接收前端的研究意义 | 第16-17页 |
| ·论文结构安排 | 第17-19页 |
| 参考文献 | 第19-21页 |
| 第二章 HBT器件概述 | 第21-31页 |
| ·HBT与BJT的比较 | 第21-22页 |
| ·HBT与FET的比较 | 第22-23页 |
| ·HBT的电流构成 | 第23-25页 |
| ·HBT器件的常用材料体系 | 第25-27页 |
| ·HBT器件的主要电学参数 | 第27-28页 |
| ·HBT的优越性总结 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-31页 |
| 第三章 HBT器件的电学参数分析 | 第31-52页 |
| ·半导体材料物理基础 | 第31-32页 |
| ·InGaAs与InP材料的迁移率随掺杂浓度的变化关系 | 第32-34页 |
| ·HBT相关电学参数的理论计算 | 第34-44页 |
| ·HBT的频率性能分析 | 第44-49页 |
| ·结构参量对HBT频率性能的影响 | 第44-46页 |
| ·偏置电压对HBT频率性能的影响 | 第46-47页 |
| ·掺杂浓度对HBT频率性能的影响 | 第47-49页 |
| ·HBT的优化设计 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-52页 |
| 第四章 HBT器件的制备与测试 | 第52-67页 |
| ·InP基HBT的制备 | 第52-57页 |
| ·版图设计 | 第52-54页 |
| ·外延结构 | 第54-55页 |
| ·采用堆叠型外延片制备的HBT | 第55-57页 |
| ·共享型外延片结构 | 第57页 |
| ·InP基HBT的实验制备工艺流程 | 第57-62页 |
| ·制备工艺研究及难点 | 第62-64页 |
| ·欧姆接触 | 第62页 |
| ·金属电极的剥离 | 第62-63页 |
| ·选择性腐蚀液的研究 | 第63页 |
| ·聚酰亚胺平坦化工艺 | 第63-64页 |
| ·分立HBT的测试 | 第64-67页 |
| ·直流特性测试 | 第64-65页 |
| ·高频特性测试 | 第65-67页 |
| 第五章 HBT小信号模型的研究与参数提取 | 第67-89页 |
| ·小信号模型简述 | 第67-68页 |
| ·模型参数的提取 | 第68-88页 |
| ·寄生电阻、电感的提取 | 第70-73页 |
| ·寄生电容的提取 | 第73-76页 |
| ·寄生效应的去除 | 第76-77页 |
| ·本征参数的提取 | 第77-85页 |
| ·模型参数的优化与结果 | 第85-88页 |
| 参考文献 | 第88-89页 |
| 第六章 HBT大信号模型的研究与参数提取 | 第89-121页 |
| ·大信号模型简述 | 第89-91页 |
| ·GP大信号模型的参数与特性方程 | 第91-93页 |
| ·模型参数的提取 | 第93-118页 |
| ·C-V参数的提取 | 第94-96页 |
| ·电阻的提取 | 第96-100页 |
| ·Early电压的提取 | 第100-103页 |
| ·正向输出参数的提取 | 第103-108页 |
| ·反向输出参数的提取 | 第108-109页 |
| ·交流S参数的解寄生技术 | 第109-112页 |
| ·输入阻抗参数的提取 | 第112-115页 |
| ·传输时延参数的提取 | 第115-118页 |
| ·提取结果 | 第118-120页 |
| 参考文献 | 第120-121页 |
| 第七章 单片集成光接收前端电路的分析与设计 | 第121-133页 |
| ·单片集成光接收前端的设计要求 | 第121-122页 |
| ·晶体管放大电路的三种组态 | 第122-123页 |
| ·放大电路的负反馈形式 | 第123-124页 |
| ·单片集成光接收前端电路的设计 | 第124-132页 |
| ·单级共射放大电路 | 第125-126页 |
| ·单级共射加输出缓冲放大电路 | 第126-127页 |
| ·跨阻负反馈单级共射放大电路 | 第127-129页 |
| ·共基共射负反馈二级放大电路 | 第129-130页 |
| ·共基共射负反馈双输出缓冲放大电路 | 第130-132页 |
| 参考文献 | 第132-133页 |
| 第八章 单片集成光接收前端的制备与测试 | 第133-138页 |
| ·PIN+HBT单片集成光接收前端的外延结构 | 第133页 |
| ·PIN+HBT单片集成光接收前端的版图 | 第133-134页 |
| ·PIN+HBT单片集成光接收前端的制备与测试 | 第134-136页 |
| ·单片集成光接收前端的制备步骤 | 第136-138页 |
| 附录1 常用半导体材料参数 | 第138-139页 |
| 附录2 散射参数与其它参数之间的转化 | 第139-141页 |
| 致谢 | 第141-143页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第143页 |