| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-17页 |
| ·引言 | 第10页 |
| ·SiGe HBT 的起源，发展与现状 | 第10-12页 |
| ·SiGe HBT 技术的提出 | 第10-11页 |
| ·SiGe HBT 在国内外的发展情况 | 第11-12页 |
| ·SiGe HBT 集成电路发展水平 | 第12-15页 |
| ·本论文的主要工作 | 第15-16页 |
| ·本论文的内容安排 | 第16-17页 |
| 第2章 SiGe HBT 的基本理论与结构 | 第17-26页 |
| ·Si/SiGe 异质结物理分析 | 第17-19页 |
| ·SiGe HBT 参数指标 | 第19-21页 |
| ·特征频率与最高振荡频率 | 第19-21页 |
| ·集电极电流，基极电流和增益 | 第21页 |
| ·SiGe HBT 的基本结构 | 第21-23页 |
| ·SiGe 基区外延层的生长方法 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-26页 |
| 第3章 影响SiGe HBT 特性的因素及交流特性分析 | 第26-41页 |
| ·影响SiGe HBT 特性的因素 | 第26-31页 |
| ·基区设计的影响因素 | 第26-29页 |
| ·集电区和发射区的掺杂浓度与宽度对器件的影响 | 第29-31页 |
| ·SiGe HBT 小信号模型 | 第31-36页 |
| ·SiGe HBT 的共基极等效模型 | 第31-34页 |
| ·HBT 的共基极交流小信号短路导纳矩阵Y_b | 第34-35页 |
| ·HBT 的共发射极交流小信号短路导纳矩阵Y_e | 第35-36页 |
| ·SiGe HBT 典型交流参数的推导 | 第36-39页 |
| ·共射极最佳功率增益和发射极最高振荡频率 | 第36-37页 |
| ·共射极短路电流和特征频率 | 第37-38页 |
| ·共射极最大单向转换功率增益和f_(max) | 第38页 |
| ·S 参数 | 第38-39页 |
| ·SiGe HBT 的噪声特性 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-41页 |
| 第4章 SiGe HBT 高频增益模块设计 | 第41-60页 |
| ·增益模块概述 | 第41-47页 |
| ·常用的高频放大电路 | 第41-43页 |
| ·达林顿结构 | 第43-45页 |
| ·放大器的二端口模型 | 第45-47页 |
| ·基于达林顿结构的SiGe HBT 高频增益模块的分析及参数的确定 | 第47-49页 |
| ·电路的工作原理 | 第47-48页 |
| ·电路结构 | 第48-49页 |
| ·器件参数的选择 | 第49页 |
| ·SiGe HBT 高频增益模块的线性度 | 第49页 |
| ·SiGe HBT 高频增益模块的噪声 | 第49-52页 |
| ·二端口噪声网络 | 第50-51页 |
| ·SiGe HBT 高频增益模块的噪声分析 | 第51-52页 |
| ·SiGe HBT 高频增益模块的仿真 | 第52-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第5章 工艺流程及版图设计 | 第60-70页 |
| ·掩埋金属自对准工艺 | 第60-62页 |
| ·传统工艺对SiGe HBT 性能的影响 | 第60-61页 |
| ·掩埋金属自对准工艺的引入 | 第61-62页 |
| ·高阻抗衬底的制备 | 第62-64页 |
| ·衬底的清洗与扩散 | 第62页 |
| ·UHVCVD 材料生长 | 第62-63页 |
| ·材料预处理及生长流程 | 第63-64页 |
| ·埋层金属自对准工艺的流程 | 第64-66页 |
| ·发射极埋层金属与发射极台面的制备 | 第65页 |
| ·埋层金属于基极台面的制备 | 第65-66页 |
| ·集电极埋层金属的制备 | 第66页 |
| ·无源元件—电阻的制备 | 第66-68页 |
| ·SiGe HBT 高频增益模块版图的设计 | 第68-69页 |
| ·本章小结 | 第69-70页 |
| 结论 | 第70-71页 |
| 参考文献 | 第71-74页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |