| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-18页 |
| ·SiGe HBT的发展历史及现状 | 第13-15页 |
| ·SiGe HBT的应用前景及研究意义 | 第15-16页 |
| ·本论文的主要工作及内容安排 | 第16-18页 |
| 第二章 SiGe HBT的基本工作原理 | 第18-22页 |
| ·Si/Si_(1-x)Ge_x材料的基本特性 | 第18-20页 |
| ·晶格常数及晶格失配率 | 第18-19页 |
| ·禁带宽度 | 第19页 |
| ·应变层的临界厚度 | 第19页 |
| ·介电常数 | 第19-20页 |
| ·载流子复合 | 第20页 |
| ·SiGe HBT的基本工作原理 | 第20-22页 |
| 第三章 SiGe HBT的性能分析及其设计依据 | 第22-32页 |
| ·SiGe HBT的性能分析 | 第22-27页 |
| ·SiGe HBT工作电流及电流增益的改善 | 第22页 |
| ·特征频率的计算及分析 | 第22-25页 |
| ·最高振荡频率的计算及分析 | 第25-26页 |
| ·Early电压V_A的计算及分析 | 第26-27页 |
| ·SiGe HBT的设计依据 | 第27-32页 |
| ·发射区的设计 | 第27-28页 |
| ·基区的设计 | 第28-31页 |
| ·集电区的设计 | 第31-32页 |
| 第四章 实现SiGe HBT可制造性设计的仿真环境 | 第32-40页 |
| ·工艺级仿真工具——Sentaurus Process | 第32-34页 |
| ·网格优化工具——Sentaurus Structure Editor | 第34-35页 |
| ·器件物理特性级模拟工具——Sentaurus Device | 第35-37页 |
| ·仿真结果分析工具 | 第37-38页 |
| ·一维特性分析工具——Inspect | 第37页 |
| ·多维结构分析工具——Tecplot SV | 第37-38页 |
| ·集成虚拟化设计平台——Sentaurus WorkBench | 第38-40页 |
| 第五章 超高频SiGe HBT的可制造性设计 | 第40-60页 |
| ·超高频SiGe HBT的工艺级仿真 | 第40-45页 |
| ·超高频SiGe HBT的物理特性级模拟 | 第45-56页 |
| ·超高频SiGe HBT的直流特性 | 第48-50页 |
| ·超高频SiGe HBT的频率特性 | 第50-52页 |
| ·超高频SiGe HBT的击穿特性 | 第52-56页 |
| ·超高频SiGe HBT的可制造性设计 | 第56-60页 |
| 第六章 超高频SiGe HBT的可制造性设计结果及分析 | 第60-69页 |
| ·工艺参数变化对电流增益的影响 | 第60-63页 |
| ·工艺参数变化对频率特性的影响 | 第63-66页 |
| ·工艺参数变化对击穿特性的影响 | 第66-67页 |
| ·超高频SiGe HBT的设计结果 | 第67-69页 |
| 结束语 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-74页 |
| 致谢 | 第74-75页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第75-76页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第76页 |
