| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| ·OEIC的概念,发展及应用 | 第10-12页 |
| ·单片OEIC光接收器件的研究与发展现状 | 第12-13页 |
| ·InP基PIN-PD+HBT集成光接收机前端 | 第13-14页 |
| ·论文的结构安排 | 第14-16页 |
| 参考文献 | 第16-17页 |
| 第二章 HBT器件概述 | 第17-30页 |
| ·HBT发展概况 | 第17-18页 |
| ·HBT的原理机制及优越性 | 第18-22页 |
| ·BJT的工作原理 | 第18-19页 |
| ·HBT的工作原理 | 第19页 |
| ·HBT的电流组成原理 | 第19-21页 |
| ·HBT与场效应晶体管(FET)的比较 | 第21-22页 |
| ·HBT的优越性总结 | 第22页 |
| ·HBT器件的性能参数 | 第22-24页 |
| ·截止频率f_T和最高振荡频率f_(max) | 第23页 |
| ·电流增益β | 第23页 |
| ·开启电压 | 第23-24页 |
| ·击穿电压 | 第24页 |
| ·击集电极-发射极补偿电压 | 第24页 |
| ·在HBT器件中所运用的材料体系及材料的主要生长技术 | 第24-27页 |
| ·在HBT器件中所运用的材料体系 | 第24-26页 |
| ·HBT材料的主要生长技术 | 第26-27页 |
| ·制备HBT器件常用工艺 | 第27-29页 |
| ·自对准工艺 | 第27页 |
| ·空气桥工艺 | 第27页 |
| ·离子注入工艺 | 第27页 |
| ·聚酰亚胺平坦化工艺 | 第27-28页 |
| ·表面钝化处理工艺 | 第28-29页 |
| 参考文献 | 第29-30页 |
| 第三章 HBT的器件模型及频率性能分析 | 第30-62页 |
| ·半导体材料物理基础 | 第30-31页 |
| ·InGaAs与InP材料的迁移率随掺杂浓度的变化关系 | 第31-33页 |
| ·HBT理论模型中相关物理参量的计算 | 第33-48页 |
| ·HBT的频率性能分析 | 第48-59页 |
| ·结构参量对HBT频率性能的影响 | 第48-55页 |
| ·偏置电压对HBT频率性能的影响 | 第55-57页 |
| ·掺杂浓度对HBT频率性能的影响 | 第57-59页 |
| ·HBT优化设计 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-62页 |
| 第四章 HBT建模及参数提取 | 第62-94页 |
| ·HBT小信号模型参数提取 | 第62-78页 |
| ·正偏反偏法介绍 | 第63-64页 |
| ·在正偏状态下提取寄生电感、电阻 | 第64-66页 |
| ·在反偏状态下提取寄生电容 | 第66-69页 |
| ·去除寄生参数,提取本征参数 | 第69-75页 |
| ·参数优化 | 第75-78页 |
| ·HBT工业模型参数提取 | 第78-91页 |
| ·GP模型结构 | 第80-82页 |
| ·SPICE参数提取 | 第82-91页 |
| ·本章小结 | 第91-92页 |
| 参考文献 | 第92-94页 |
| 第五章 PIN+HBT光接收前端电路设计 | 第94-102页 |
| ·PIN等效电路模型 | 第95-96页 |
| ·HBT用于放大电路的三种组态 | 第96-97页 |
| ·前端电路的设计 | 第97-100页 |
| ·本章小结 | 第100-101页 |
| 参考文献 | 第101-102页 |
| 第六章 InP基HBT的制备与测试 | 第102-113页 |
| ·InP基HBT外延片结构 | 第102页 |
| ·InP基HBT的制备 | 第102-109页 |
| ·版图设计 | 第102-104页 |
| ·InP基HBT的实验制备工艺流程 | 第104-109页 |
| ·InP基HBT的实验测试 | 第109-111页 |
| ·测试设备 | 第109页 |
| ·测试结果 | 第109-111页 |
| ·本章小结 | 第111-112页 |
| 参考文献 | 第112-113页 |
| 附录1 常用半导体材料参数 | 第113-114页 |
| 附录2 散射参数与其它参数之间的转化 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116-118页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第118页 |