| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-22页 |
| ·GaN异质结双极晶体管(HBT)的研究意义 | 第11-17页 |
| §1.1.1 GaN材料的优势 | 第11-13页 |
| §1.1.2 异质结双极晶体管(HBT)概述 | 第13-15页 |
| §1.1.3 GaN HBT | 第15-17页 |
| ·GaN HBT发展现状及主要问题 | 第17-20页 |
| §1.2.1 GaN HBT发展现状 | 第17-18页 |
| §1.2.2 GaN HBT的研究中存在的问题 | 第18-20页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第20-22页 |
| 第二章 异质结器件基础 | 第22-36页 |
| ·半导体异质结 | 第22-31页 |
| §2.1.1 理想异质结的空间电荷区和能带图 | 第22-26页 |
| §2.1.2 理想突变异质结的伏安特性 | 第26-31页 |
| ·异质结双极晶体管 | 第31-35页 |
| §2.2.1 HBT电流输运 | 第31-34页 |
| §2.2.2 HBT复合电流 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 GaN HBT的仿真及理论研究 | 第36-50页 |
| ·模拟工具及物理模型 | 第36-41页 |
| ·物理模型的实验验证 | 第41-44页 |
| ·GaN HBT的纵向结构设计 | 第44-48页 |
| §3.3.1 发射区设计 | 第44-47页 |
| §3.3.2 基区设计 | 第47-48页 |
| §3.3.3 集电区设计 | 第48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第四章 GaN HBT材料的制备与表征 | 第50-62页 |
| ·材料生长设备及机理 #4Q | 第50-53页 |
| §4.1.1 自主研制的MOCVD系统简介 | 第50-51页 |
| §4.1.2 MOCVD技术生长GaN晶体薄膜的生长机理与模式 | 第51-53页 |
| ·GaN HBT材料生长流程 | 第53-55页 |
| ·GaN HBT材料表征 | 第55-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 第五章 GaN HBT关键工艺研究 | 第62-86页 |
| ·p型GaN欧姆接触 | 第62-72页 |
| §5.1.1 欧姆接触理论 | 第62-70页 |
| §5.1.2 欧姆接触制作工艺 | 第70-71页 |
| §5.1.3 金属结构和退火温度对欧姆接触的影响 | 第71-72页 |
| ·干法刻蚀技术研究 | 第72-85页 |
| §5.2.1 GaN基材料刻蚀技术概述 | 第72-73页 |
| §5.2.2 低损伤刻蚀技术 | 第73-83页 |
| §5.2.3 刻蚀损伤恢复 | 第83-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 第六章 GaN HBT器件制造 | 第86-103页 |
| ·GaN HBT的版图设计 | 第86-92页 |
| ·CB结二极管制造及特性分析 | 第92-96页 |
| ·GaN HBT制作 | 第96-102页 |
| §6.3.1 工艺流程 | 第96-100页 |
| §6.3.2 测试分析 | 第100-102页 |
| ·本章小结 | 第102-103页 |
| 第七章 新型高击穿SiCOI MESFET研究 | 第103-111页 |
| ·SiCOI MESFET击穿机理研究 | 第103-105页 |
| ·介质槽阻断SiCOI MESFET | 第105-108页 |
| ·多台阶介质槽阻断SiCOI MESFET | 第108-110页 |
| ·本章小结 | 第110-111页 |
| 第八章 结束语 | 第111-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-125页 |
| 论文期间研究成果 | 第125-127页 |