| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-11页 |
| 第一章 HBT器件概述 | 第11-22页 |
| ·HBT发展概况 | 第11-12页 |
| ·HBT的原理机制及优越性 | 第12-14页 |
| ·BJT的工作原理 | 第12页 |
| ·HBT的工作原理 | 第12-13页 |
| ·HBT的电流原理 | 第13-14页 |
| ·HBT的优越性总结 | 第14页 |
| ·HBT器件所运用的材料体系 | 第14-17页 |
| ·GeSi材料系 | 第15页 |
| ·GaAs材料系 | 第15-16页 |
| ·InP材料系 | 第16-17页 |
| ·HBT材料的主要生长技术 | 第17页 |
| ·HBT器件的性能参数 | 第17-19页 |
| ·截至频率f_T和最高振荡频率f_(max) | 第18页 |
| ·电流增益β | 第18页 |
| ·开启电压 | 第18-19页 |
| ·击穿电压 | 第19页 |
| ·HBT器件常用制备工艺 | 第19-20页 |
| ·自对准工艺 | 第19页 |
| ·空气桥工艺 | 第19页 |
| ·聚酰亚胺平坦化工艺 | 第19-20页 |
| ·论文结构安排 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-22页 |
| 第二章 HBT的电流特性 | 第22-32页 |
| ·HBT的电流组成部分 | 第22-24页 |
| ·HBT的基极电流 | 第22-24页 |
| ·HBT集电极电流 | 第24页 |
| ·HBT发射极电流集边效应 | 第24-31页 |
| ·HBT基极和发射集电流密度的研究 | 第25-28页 |
| ·发射极电流集边效应对器件设计的影响 | 第28-31页 |
| 参考文献 | 第31-32页 |
| 第三章 HBT器件参数的设计 | 第32-57页 |
| ·InGaAs与InP材料的迁移率随掺杂浓度的变化关系 | 第32-33页 |
| ·HBT理论模型中相关物理参量的计算 | 第33-42页 |
| ·HBT的结构及其掺杂浓度的设计 | 第42-55页 |
| ·HBT在不同偏压下的影响 | 第42-45页 |
| ·HBT性能随发射极不同结构及掺杂浓度的影响 | 第45-49页 |
| ·HBT性能随基极不同结构及掺杂浓度的影响 | 第49-52页 |
| ·HBT性能随集电极不同结构及掺杂浓度的影响 | 第52-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第四章 新型复合集电区双异质结HBT的研究 | 第57-73页 |
| ·DHBT物理模型 | 第58-65页 |
| ·突变异质结能的分析 | 第58页 |
| ·突变异质结能带分析 | 第58-61页 |
| ·突变同型异质结的能带图 | 第61-64页 |
| ·载流子的输运特性分析 | 第64-65页 |
| ·新型复合HBT的研究 | 第65-69页 |
| ·采用复合集电区HBT的优点总结 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-73页 |
| 第五章 InP基HBT器件的制备与测试 | 第73-82页 |
| ·InP基HBT的制备 | 第73-80页 |
| ·外延结构 | 第73-74页 |
| ·InP基HBT的实验制备工艺流程 | 第74-80页 |
| ·InP基HBT的实验测试结果 | 第80-82页 |
| 第六章 HBT在OEIC中的应用 | 第82-91页 |
| ·光电集成(OEIC)的应用价值与意义 | 第82-83页 |
| ·单片OEIC光接收机器件的研究与发展现状 | 第83-84页 |
| ·InP基PIN-PD+HBT集成光接收机前端的提出 | 第84-85页 |
| ·单片集成光前端的分析 | 第85-90页 |
| ·单片集成光前端的设计要求 | 第85页 |
| ·前端电路的基本反馈形式 | 第85-86页 |
| ·无输出缓冲的单级共射放大电路 | 第86-87页 |
| ·单极共射加输出缓冲的放大电路 | 第87页 |
| ·跨阻反馈单级共射加输出缓冲电路 | 第87-88页 |
| ·跨阻反馈两级输出缓冲电路 | 第88页 |
| ·共基负反馈宽带放大电路 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-91页 |
| 附录1 常用半导体材料参数 | 第91-92页 |
| 附录2 单片集成光接收机前端工艺制备步骤 | 第92-94页 |
| 致谢 | 第94-95页 |
| 研究生阶段发表的论文 | 第95页 |