| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-10页 |
| ·选题的背景意义 | 第7页 |
| ·IGBT失效问题研究的现状 | 第7-8页 |
| ·本文的主要研究工作 | 第8-10页 |
| 2 IGBT的结构及其工作原理 | 第10-21页 |
| ·IGBT的结构 | 第10-12页 |
| ·IGBT的基本结构 | 第10-11页 |
| ·IGBT的分类及其结构 | 第11-12页 |
| ·IGBT的工作原理 | 第12-16页 |
| ·IGBT的基本工作原理 | 第12-13页 |
| ·IGBT导通时的工作原理 | 第13-15页 |
| ·关断拖尾电流形成原理 | 第15-16页 |
| ·IGBT的特性 | 第16-21页 |
| ·IGBT的静态特性 | 第16页 |
| ·IGBT的动态特性 | 第16-17页 |
| ·擎住效应特性 | 第17-21页 |
| 3 IGBT的失效理论 | 第21-33页 |
| ·失效因素 | 第21-24页 |
| ·内部结构缺陷和制造工艺因素 | 第21页 |
| ·各种应力冲击因素 | 第21-23页 |
| ·驱动、吸收电路等因素 | 第23-24页 |
| ·失效模式 | 第24-26页 |
| ·静电引起的栅击穿 | 第24-25页 |
| ·功率循环引起的芯片破裂及氧焊层蠕动 | 第25页 |
| ·过热力引起的烧坏甚至爆管 | 第25页 |
| ·IGBT引线键合面失效 | 第25-26页 |
| ·失效机理 | 第26-29页 |
| ·过热力造成的失效机理 | 第26页 |
| ·功率循环造成的失效机理 | 第26-27页 |
| ·短路电流造成IGBT失效机理 | 第27-29页 |
| ·失效检测 | 第29-33页 |
| 4 高温栅偏压和高温反偏压应力冲击对IGBT性能的影响 | 第33-50页 |
| ·概述 | 第33-34页 |
| ·最小二乘法原理及在MATLAB中的试验实现 | 第34-37页 |
| ·线性拟合 | 第35-36页 |
| ·多项式拟合 | 第36页 |
| ·一般的非线性拟合 | 第36-37页 |
| ·应力冲击实验数据拟合处理及探讨 | 第37-50页 |
| ·栅门槛电压漂移拟合及探讨 | 第37-39页 |
| ·通态管压降漂移拟合及探讨 | 第39-40页 |
| ·导通延迟时间和上升时间漂移拟合及探讨 | 第40-43页 |
| ·关断延迟时间和下降时间的漂移拟合及探讨 | 第43-45页 |
| ·开通损耗漂移拟合及探讨 | 第45-47页 |
| ·关断损耗漂移拟合及探讨 | 第47-50页 |
| 5 短路脉冲应力冲击对IGBT性能的影响 | 第50-60页 |
| ·概述 | 第50-52页 |
| ·电路构成 | 第52-54页 |
| ·脉冲发生电路设计 | 第52页 |
| ·驱动电路 | 第52-54页 |
| ·电性能参数测试方法 | 第54-56页 |
| ·通态管压降测试方法 | 第54-55页 |
| ·栅门槛电压测试方法 | 第55页 |
| ·开通和关断时间测试方法 | 第55-56页 |
| ·实验结果及其分析 | 第56-60页 |
| 6 全文总结及展望 | 第60-62页 |
| ·全文总结 | 第60-61页 |
| ·展望 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-64页 |