| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·课题背景 | 第8-9页 |
| ·SiGe HBT 的研究及应用现状 | 第9-10页 |
| ·论文的意义和内容 | 第10-12页 |
| 第二章 SiGe HBT 的基本原理与性能分析 | 第12-24页 |
| ·SiGe 功率晶体管简介 | 第12页 |
| ·SiGe 材料的优点 | 第12-13页 |
| ·SiGe 材料性能 | 第13-17页 |
| ·SiGe 晶格性质和特点 | 第13-14页 |
| ·SiGe 材料的能带原理和分析 | 第14-17页 |
| ·SiGe HBT 的常用结构 | 第17-19页 |
| ·SiGe HBT 性能优势分析 | 第19-24页 |
| 第三章 SiGe HBT 的电热特性分析 | 第24-36页 |
| ·SiGe HBT 的电流与温度关系 | 第24-29页 |
| ·热电反馈 | 第24页 |
| ·热稳定因子S 及其物理意义 | 第24-26页 |
| ·改善器件热稳定性（减小热稳定因子S） | 第26-28页 |
| ·HBT 镇流电阻的完全自热补偿 | 第28-29页 |
| ·SiGe 晶体管的结构与温度关系 | 第29-36页 |
| 第四章 带温度保护的功率SiGe HBT 设计 | 第36-46页 |
| ·功率SiGe HBT 晶体管的主要参数 | 第37-39页 |
| ·输出功率Pout | 第37-38页 |
| ·功率增益 | 第38页 |
| ·功率附加效率PAE(Power Added Efficiency) | 第38页 |
| ·工作频率f_0 | 第38-39页 |
| ·工作电压V_(CC) | 第39页 |
| ·纵向结构参数的选取 | 第39-41页 |
| ·集电区外延层电阻率（掺杂浓度）的确定 | 第39-40页 |
| ·基区参数的选取 | 第40页 |
| ·集电区厚度的选取 | 第40页 |
| ·发射极厚度和浓度的选取 | 第40-41页 |
| ·横向结构参数的选取 | 第41-42页 |
| ·发射极条的选取 | 第41页 |
| ·基区的面积选取 | 第41-42页 |
| ·版图设计 | 第42-46页 |
| 第五章 SiGe 管热保护电路设计仿真 | 第46-65页 |
| ·热保护电路的组成 | 第46-48页 |
| ·热保护电路的分析 | 第48-55页 |
| ·弱反型区CMOS 管温度传感器 | 第48-49页 |
| ·电流镜 | 第49-50页 |
| ·使能输入结构 | 第50-51页 |
| ·迟滞MOS 管MP12 | 第51-52页 |
| ·比较器 | 第52-55页 |
| ·电路仿真分析 | 第55-65页 |
| ·比较器分辨率的仿真 | 第56-57页 |
| ·比较器开环频率仿真 | 第57-59页 |
| ·比较器传输时延仿真 | 第59-61页 |
| ·热保护电路整体的仿真 | 第61-65页 |
| 第六章 结束语 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第69-70页 |