| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 符号说明 | 第11-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-25页 |
| ·研究背景及意义 | 第12-13页 |
| ·关于双极结型晶体管(BJT)的基础知识 | 第13-15页 |
| ·Early效应 | 第15-16页 |
| ·V-T曲线簇在绝对零度附近的汇聚特性 | 第16-20页 |
| ·双极型晶体管的V-T曲线簇在绝对零度附近的汇聚特性 | 第16-18页 |
| ·MESFET的V-T曲线簇在绝对零度附近的汇聚特性 | 第18-20页 |
| ·GaN紫外发光二极管的V-T曲线簇 | 第20页 |
| ·课题研究内容及论文内容安排 | 第20-22页 |
| 本章参考文献 | 第22-25页 |
| 第二章 实验方法与实验结果简单分析 | 第25-34页 |
| ·主要的实验设备 | 第25页 |
| ·实验原理 | 第25-26页 |
| ·实验步骤 | 第26-27页 |
| ·实验结果及分析 | 第27-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 本章参考文献 | 第33-34页 |
| 第三章 理论分析 | 第34-47页 |
| ·汇聚点坐标的物理意义 | 第34-35页 |
| ·禁带变窄效应对汇聚点坐标的影响 | 第35-36页 |
| ·ln(I_F)～V_(BE)特性曲线簇与V_(BE)～T曲线簇的数据来源的关系 | 第36-38页 |
| ·肖特基二极管的实验结果 | 第38-41页 |
| ·I-V特性曲线的斜率的物理意义 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 本章参考文献 | 第46-47页 |
| 第四章 汇聚特性的应用 | 第47-57页 |
| ·根据汇聚特性确定任意温度下的I-V关系 | 第47-48页 |
| ·由红外热像图和本底数据求特定状态下的I-V特性曲线 | 第48-52页 |
| ·红外热像图的作用和简单分析 | 第48-50页 |
| ·晶体管热谱 | 第50-51页 |
| ·求晶体管在特定状态下的I-V特性曲线 | 第51-52页 |
| ·由晶体管的I-V特性曲线推断晶体管的结温 | 第52-53页 |
| ·根据汇聚特性证明IEC标准的错误 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 本章参考文献 | 第56-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-60页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文目录 | 第60-61页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第61页 |
