双极晶体管电磁脉冲损伤机理研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-13页 |
| ·论文的背景及研究意义 | 第7-8页 |
| ·国内外研究状况 | 第8-10页 |
| ·论文的研究方法和主要内容 | 第10-13页 |
| 第二章 半导体器件 EMP 损伤机理分析 | 第13-27页 |
| ·器件EMP 损伤效应的物理机理 | 第13-15页 |
| ·典型器件主要失效机理分析 | 第15-18页 |
| ·结型半导体 | 第15-16页 |
| ·MOS 结构 | 第16-17页 |
| ·非导电封装盖板的钝化场效应结构 | 第17-18页 |
| ·双极晶体管脉冲效应 | 第18-21页 |
| ·Kirk 效应 | 第18-20页 |
| ·电流集边效应 | 第20-21页 |
| ·双极晶体管热分析 | 第21-24页 |
| ·等效热路 | 第21-22页 |
| ·热传导方程 | 第22-23页 |
| ·晶格温度与时间之间的关系 | 第23-24页 |
| ·常见半导体器件抗EMP 设计 | 第24-25页 |
| ·本章总结 | 第25-27页 |
| 第三章 双极晶体管 EMP 瞬态响应 | 第27-41页 |
| ·Medici 简介 | 第27-31页 |
| ·基本功能及特点 | 第27-28页 |
| ·计算方法的选择 | 第28-29页 |
| ·模型与参数的选取 | 第29-31页 |
| ·器件结构与杂质分布 | 第31页 |
| ·二维仿真结果与分析 | 第31-39页 |
| ·电场强度随时间的变化情况 | 第32-34页 |
| ·电流密度随时间的变化情况 | 第34-36页 |
| ·温度随时间的变化情况 | 第36-38页 |
| ·仿真与实验结果对比 | 第38-39页 |
| ·本章总结 | 第39-41页 |
| 第四章 损伤能量阈值分析 | 第41-51页 |
| ·常用失效模型 | 第41-45页 |
| ·单脉冲情况 | 第41-43页 |
| ·重复脉冲情况 | 第43-45页 |
| ·双极晶体管损伤能量 | 第45-47页 |
| ·烧毁时间与注入电压之间的关系 | 第45-46页 |
| ·损伤能量与注入电压之间的关系 | 第46-47页 |
| ·损伤功率与脉宽之间的关系 | 第47页 |
| ·仿真分析 | 第47-50页 |
| ·本章总结 | 第50-51页 |
| 第五章 外部电路的影响 | 第51-57页 |
| ·基极外接电阻的影响 | 第51-53页 |
| ·基极外接电压源的影响 | 第53-54页 |
| ·发射极外接电阻的影响 | 第54-55页 |
| ·本章总结 | 第55-57页 |
| 第六章 结束语 | 第57-59页 |
| 致谢 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 研究成果 | 第67-68页 |
