| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 目录 | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| ·光电集成(OEIC)的应用价值与意义 | 第12-13页 |
| ·单片OEIC光接收器件的研究与发展现状 | 第13-15页 |
| ·InP基PIN-PD+HBT集成光接收机前端的提出 | 第15-16页 |
| ·论文的结构安排 | 第16-18页 |
| 参考文献 | 第18-20页 |
| 第二章 HBT器件概述 | 第20-32页 |
| ·HBT发展概况 | 第20-21页 |
| ·HBT的原理机制及优越性 | 第21-24页 |
| ·BJT的工作原理 | 第21页 |
| ·HBT的工作原理 | 第21-22页 |
| ·HBT的电流组成原理 | 第22-24页 |
| ·HBT的优越性总结 | 第24页 |
| ·HBT器件所运用的材料体系 | 第24-26页 |
| ·GeSi材料系 | 第24-25页 |
| ·GaAs材料系 | 第25-26页 |
| ·InP材料系 | 第26页 |
| ·HBT材料的主要生长技术 | 第26-27页 |
| ·HBT器件的性能参数 | 第27-28页 |
| ·截止频率f_r和最高振荡频率f_(max) | 第27页 |
| ·电流增益β | 第27页 |
| ·开启电压 | 第27-28页 |
| ·击穿电压 | 第28页 |
| ·HBT器件常用制备工艺 | 第28-30页 |
| ·自对准工艺 | 第29页 |
| ·空气桥工艺 | 第29页 |
| ·聚酰亚胺平坦化工艺 | 第29-30页 |
| 参考文献 | 第30-32页 |
| 第三章 SHBT器件的理论模型及优化设计 | 第32-57页 |
| ·InGaAs与InP材料的迁移率随掺杂浓度的变化关系 | 第32-34页 |
| ·HBT理论模型中相关物理参量的计算 | 第34-44页 |
| ·HBT的优化设计 | 第44-50页 |
| ·各物理参量对HBT性能的影响 | 第44-48页 |
| ·HBT优化设计方案 | 第48-50页 |
| ·影响HBT性能的重要效应 | 第50-55页 |
| ·Kirk效应 | 第51-54页 |
| ·发射极拥挤效应 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第四章 复合集电区双异质结HBT的研究 | 第57-73页 |
| ·DHBT物理模型 | 第58-65页 |
| ·突变异质结能带分析 | 第58-60页 |
| ·突变同型异质结的能带图 | 第60-64页 |
| ·载流子的输运特性分析 | 第64-65页 |
| ·复合集电区DHBT的研究 | 第65-70页 |
| ·采用复合集电区DHBT的优点总结 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第五章 分立器件的制备与测试 | 第73-92页 |
| ·InP基HBT的制备: | 第73-78页 |
| ·版图设计 | 第73-75页 |
| ·外延结构 | 第75-76页 |
| ·采用堆叠型外延片制备的HBT | 第76-78页 |
| ·共享型外延片结构 | 第78页 |
| ·InP基HBT的实验制备工艺流程 | 第78-83页 |
| ·制备工艺研究及难点: | 第83-85页 |
| ·欧姆接触: | 第83-84页 |
| ·金属电极的剥离 | 第84页 |
| ·选择性腐蚀液的研究 | 第84-85页 |
| ·聚酰亚胺平坦化工艺 | 第85页 |
| ·分HBT的测试 | 第85-89页 |
| ·直流特性测试 | 第85-87页 |
| ·高频特性测试 | 第87-89页 |
| ·探测器的制备 | 第89-90页 |
| ·NiCr电阻的制备 | 第90-92页 |
| 第六章 HBT与探测器的参数提取 | 第92-114页 |
| ·SPICE参数列表 | 第92-94页 |
| ·Gummel-Poon模型的建立 | 第94-97页 |
| ·Gummel-Poon大信号模型 | 第95-96页 |
| ·Gummel-Poon小信号模型 | 第96-97页 |
| ·HBT的SPICE参数提取 | 第97-108页 |
| ·HBT器件SPICE模型仿真结果 | 第108-110页 |
| ·PIN探测器的参数提取 | 第110-113页 |
| 参考文献 | 第113-114页 |
| 第七章 单片集成光前端的分析与设计 | 第114-124页 |
| ·单片集成光前端的设计要求 | 第114页 |
| ·HBT用于放大电路的三种组态 | 第114-116页 |
| ·单片集成光前端的电路设计 | 第116-123页 |
| ·前端电路的基本反馈形式 | 第116-117页 |
| ·无输出缓冲的单级共射放大电路 | 第117-118页 |
| ·单级共射加输出缓冲的放大电路 | 第118-119页 |
| ·跨阻反馈单级共射加输出缓冲电路 | 第119-120页 |
| ·跨阻反馈两级输出缓冲电路 | 第120-121页 |
| ·共基负反馈宽带放大电路 | 第121-123页 |
| 参考文献 | 第123-124页 |
| 第八章 单片集成光接收机前端的制备与测试 | 第124-133页 |
| ·PIN-PD+HBT单片集成光前端的外延片结构 | 第124-125页 |
| ·PIN-PD+HBT单片集成光前端的版图 | 第125-126页 |
| ·PIN-PD+HBT单片集成光前端的制备与测试 | 第126-127页 |
| ·RCE-PD+HBT形式的单片集成光前端的初步尝试 | 第127-132页 |
| 参考文献 | 第132-133页 |
| 附录1 常用半导体材料参数 | 第133-134页 |
| 附录2 散射参数与其它参数之间的转化 | 第134-136页 |
| 附录3 单片集成光接收机前端工艺制备步骤 | 第136-138页 |
| 致谢 | 第138-140页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第140-141页 |
