新结构低功耗IGBT纵向结构的仿真研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第1章 绪论 | 第7-13页 |
| ·引言 | 第7-9页 |
| ·本研究的主要内容及意义 | 第9-12页 |
| ·本章小结 | 第12-13页 |
| 第2章 IGBT的提出及现有IGBT结构 | 第13-25页 |
| ·IGBT概念的提出 | 第13-16页 |
| ·IGBT的器件特性 | 第16-20页 |
| ·IGBT的静态特性 | 第16-17页 |
| ·IGBT的动态特性 | 第17-18页 |
| ·IGBT的功率损耗特性 | 第18-20页 |
| ·现有的IGBT结构 | 第20-24页 |
| ·穿通型IGBT(PT-IGBT) | 第21-22页 |
| ·非穿通型IGBT(NPT-IGBT) | 第22-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第3章 新结构低功耗IGBT(LPL-IGBT) | 第25-34页 |
| ·NPT-IGBT和PT-IGBT的比较 | 第25-28页 |
| ·NPT-IGBT和PT-IGBT制作工艺的差异 | 第25-26页 |
| ·NPT-IGBT和PT-IGBT器件特性的不同 | 第26-28页 |
| ·场终止IGBT(FS-IGBT) | 第28-30页 |
| ·新结构低功耗IGBT(LPL-IGBT) | 第30-33页 |
| ·本章小结 | 第33-34页 |
| 第4章 LPL-IGBT的初步仿真及样管制作 | 第34-45页 |
| ·LPL-IGBT仿真简介 | 第34-37页 |
| ·背扩散残留层的初步仿真优化 | 第37-38页 |
| ·LPL-IGBT第一次流片简介及测试结果 | 第38-40页 |
| ·LPL-IGBT第二次流片简介及测试结果 | 第40-43页 |
| ·基本研究方法 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第5章 LPL-IGBT的优化仿真 | 第45-60页 |
| ·LPL-IGBT高阻耐压层的优化 | 第45-49页 |
| ·高阻基区结构优化的理论依据 | 第46-47页 |
| ·IGBT高阻基区优化设计 | 第47-49页 |
| ·LPL-IGBT缓冲耐压层的优化设计 | 第49-53页 |
| ·LPL-IGBT背发射层的优化设计 | 第53-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第6章 LPL-IGBT仿真结果的分析和讨论 | 第60-82页 |
| ·LPL-IGBT阻断特性仿真的分析与讨论 | 第60-65页 |
| ·LPL-IGBT开关特性仿真结果的分析与讨论 | 第65-81页 |
| ·LPL-IGBT仿真结果的分析与讨论 | 第71-79页 |
| ·LPL-IGBT关断损耗与通态压降的折衷 | 第79-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 结论 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 致谢 | 第88页 |
