| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 第一章 引言 | 第9-13页 |
| ·GAN 材料的优越性 | 第9-10页 |
| ·GAN 材料和器件的研究历史与现状 | 第10-12页 |
| ·本文的主要内容 | 第12-13页 |
| 第二章 GAN HEMT 小信号模型建立与分析 | 第13-29页 |
| ·GAN HEMT 器件结构与输出特性 | 第13-16页 |
| ·器件建模理论和GAN HEMT 器件建模方案 | 第16-18页 |
| ·器件建模的要求 | 第16-17页 |
| ·器件建模的分类 | 第17页 |
| ·GaN HEMT 器件建模方案 | 第17-18页 |
| ·GAN HEMT 小信号等效电路分析 | 第18-20页 |
| ·GAN HEMT S 参数的测量 | 第20-21页 |
| ·GAN HEMT 小信号等效电路参数的提取 | 第21-26页 |
| ·GaN HEMT 小信号等效电路寄生参数的提取 | 第22-24页 |
| ·GaN HEMT 小信号等效电路本征参数的提取 | 第24-26页 |
| ·GAN HEMT 小信号等效电路的验证 | 第26-29页 |
| 第三章 GAN HEMT 直流大信号模型建立与分析 | 第29-40页 |
| ·GAN HEMT 直流特性等效电路分析 | 第29-30页 |
| ·常温下直流特性数据测量 | 第30-32页 |
| ·GAN HEMT 直流特性等效电路模型参数提取 | 第32-38页 |
| ·模型元件J1 直流参数提取 | 第32-34页 |
| ·栅极泄漏电流相关元件参数提取 | 第34-37页 |
| ·线性区修正相关元件的参数提取 | 第37-38页 |
| ·GAN HEMT 直流特性模型验证 | 第38-40页 |
| 第四章 GAN HEMT 电流崩塌效应与机理研究 | 第40-52页 |
| ·GAN HEMT 器件的电流崩塌效应 | 第40-41页 |
| ·GAN HEMT 器件在栅极脉冲下的电流崩塌效应 | 第41-46页 |
| ·测试方案 | 第41-42页 |
| ·测试结果分析 | 第42-46页 |
| ·GAN HEMT 器件在漏极脉冲下的电流崩塌效应 | 第46-47页 |
| ·测试方案 | 第46页 |
| ·测试结果分析 | 第46-47页 |
| ·GAN HEMT 器件在直流大电压下的电流崩塌效应 | 第47-50页 |
| ·直流大电压下的输出特性 | 第47-48页 |
| ·直流大电压下实验结果分析 | 第48-50页 |
| ·减小GAN HEMT 器件电流崩塌效应的方法 | 第50-52页 |
| 第五章 结论 | 第52-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第57-58页 |
