| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 引言 | 第8-16页 |
| ·课题研究的背景和意义 | 第8-9页 |
| ·SiGeC材料特性 | 第9-11页 |
| ·碳对 SiGe 合金中应变的缓解 | 第9-10页 |
| ·碳原子对锗硅材料能带宽度的调节作用 | 第10页 |
| ·碳原子对锗硅合金能带补偿的调节作用 | 第10-11页 |
| ·SiGeC 材料的应用及SiGeC HBT 发展前景 | 第11-12页 |
| ·SiGeC 材料的工艺简介 | 第12-14页 |
| 参考文献 | 第14-16页 |
| 第2章 SiGeC HBT 基本特性 | 第16-30页 |
| ·能带变化 | 第16-18页 |
| ·直流特性 | 第18-25页 |
| ·SiGeC HBT 与 Si BJT 的比较 | 第18-20页 |
| ·SiGeC HBT 与 SiGe BJT 的比较 | 第20-22页 |
| ·SiGeC HBT 电流增益β | 第22-25页 |
| ·频率特性 | 第25-27页 |
| ·SiGeC 高频功率放大器基础 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-30页 |
| 第3章 能量传输理论分析几个问题 | 第30-42页 |
| ·基于电子温度效应的SiGeC 异质结晶体管的基区渡越时间模型 | 第30-38页 |
| ·模型分析 | 第30-36页 |
| ·讨论 | 第36-38页 |
| ·结论 | 第38页 |
| ·速度过冲模型 | 第38-41页 |
| 参考文献 | 第41-42页 |
| 第4章 工艺和器件仿真 | 第42-59页 |
| ·工艺仿真模块ATHENA | 第42-46页 |
| ·器件仿真模块ATLAS | 第46-47页 |
| ·SiGe/SiGeC 仿真流程 | 第47-54页 |
| ·ATHENA---用于技术仿真 | 第48-50页 |
| ·ATLAS---用于技术仿真 | 第50-54页 |
| ·实际仿真结果 | 第54-58页 |
| 参考文献 | 第58-59页 |
| 第5章 总结与展望 | 第59-60页 |
| 附录 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第63页 |
