当前位置：
首页
--
工业技术
--
无线电电子学、电信技术
--
半导体技术
--
半导体三极管（晶体管）
--
晶体管：按性能分
关于1700V/2400AIPM驱动与保护电路的设计
新型双面冷却功率电子模块封装研究
铝基金刚石IGBT散热基板的制备和性能测试
异质结双极型晶体管的制备与研究
一种IGBT模块失效机理分析
碳化硅双极型晶体管的建模及特性研究
IGBT半桥模块寄生电感的研究与优化
高压大容量IGBT测试技术及测试平台的研究
1200V NPT-IGBT的研制
基于ITC技术的600V超结IGBT的仿真研究
集成稳压器中双极晶体管抗电离辐照性能研究
功率模块IGBT状态监测及可靠性评估方法研究
绝缘栅双极型晶体管结温测量方法的研究
IGBT驱动器的设计与实现
InP HBT器件大信号模型研究
高压IGBT关断状态失效的机理研究
4500V FS IGBT终端设计
具有FS结构的3300VIGBT元胞设计
基于600V BCD工艺平台的IGBT驱动芯片设计
具有空穴阻挡层IGBT的设计
一种强抗闩锁IGBT的设计
3300V NPT-IGBT动态特性研究
1200V TRENCH-FS型IGBT的设计
IGBT近场电磁骚扰特征的研究
双极晶体管微波损伤效应与机理研究
铝碳化硅IGBT基板压铸成形技术的研究
IGBT功耗优化的研究
高压功率器件并联设计及工艺研究
SiGe HBT基于物理的Scalable模型及InP HBT模型研究
基于高速光纤环路通讯的高功率IGBT数字驱动技术
4H-SiC BJT功率器件结构和特性研究
一种高可靠性的1200V IGBT的设计
AlGaN/GaN HEMT器件模型与热效应研究
中高压功率IGBT模块开关特性测试及建模
3300 VPlanar IGBT的仿真分析与设计
4H-SiC双外延基区双极晶体管模型与实验研究
SOI SiGe HBT性能与结构设计研究
高速LIGBT电势控制理论与新结构
基于近似熵分析和小波变换的IGBT模块键合线故障特征分析
基于饱和压降测量的IGBT功率模块状态评估方法研究
绝缘栅双极型晶体管串联电压均衡技术研究
绝缘栅双极型晶体管结温仿真模型及其应用研究
IGBT功率模块寿命预测技术研究
4H-SiC功率BJT的实验研究
SOI SiGe HBT结构与集电区模型研究
多发射指异质结双极型晶体管的热稳定性研究
GaInP/GaAs异质结晶体管的无条件稳定特性研究
高压绝缘栅双极晶体管（IGBT）设计及可靠性研究
增强多指SiGe HBT热学性能的Ge组分分布设计和变指间距技术研究
射频微波SiGe HBT建模与参数提取技术研究
上一页
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
下一页
