| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·硅基双极型高频微波晶体管研究意义 | 第8-9页 |
| ·课题研究背景 | 第9-14页 |
| ·高频微波晶体管历史进程及分类 | 第9-12页 |
| ·国内外现状、水平及发展趋势 | 第12-14页 |
| ·论文的组织安排 | 第14-15页 |
| 第二章 硅外延双极型高频微波晶体管物理电学特性 | 第15-29页 |
| ·硅外延双极高频微波晶体管结构 | 第16-20页 |
| ·常规双极高频微波晶体管结构 | 第16-17页 |
| ·单层多晶硅发射极双极型晶体管结构 | 第17-18页 |
| ·双层多晶硅发射极双极型晶体管结构 | 第18-20页 |
| ·物理电学特性 | 第20-29页 |
| ·特征频率 | 第20-22页 |
| ·高频优值 | 第22-25页 |
| ·噪声系数 | 第25-27页 |
| ·输出功率 | 第27-29页 |
| 第三章 用于MMIC 的硅基双极型高频微波晶体管设计 | 第29-41页 |
| ·器件结构设计 | 第30-35页 |
| ·纵向结构参数 | 第30-32页 |
| ·横向结构参数 | 第32-34页 |
| ·单元结构 | 第34-35页 |
| ·器件参数模拟 | 第35-41页 |
| ·插入功率增益 | 第36-37页 |
| ·噪声系数 | 第37页 |
| ·S 参量 | 第37-41页 |
| 第四章 工艺研究及开发 | 第41-53页 |
| ·薄基区、多晶硅发射区和浅结工艺 | 第41-44页 |
| ·基区的形成 | 第41-42页 |
| ·多晶硅发射极的形成及控制 | 第42-44页 |
| ·硅深槽隔离技术 | 第44页 |
| ·双层多晶硅发射极结构关键工艺 | 第44-47页 |
| ·第一层多晶硅的刻蚀 | 第45-46页 |
| ·L 型侧墙的形成 | 第46-47页 |
| ·工艺优化及影响 | 第47-50页 |
| ·内基区工艺条件对双极晶体管性能的影响 | 第47页 |
| ·退火条件对双极晶体管性能的影响 | 第47-48页 |
| ·镇流电阻对二次击穿效应的影响 | 第48-50页 |
| ·主要工艺流程 | 第50-53页 |
| 第五章 流片与测试 | 第53-57页 |
| 第六章 结论 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
| 附录 | 第62-65页 |