| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-8页 |
| 1 引言 | 第8-9页 |
| 2 集成电路制造工艺 | 第9-12页 |
| ·集成电路制造工艺简介 | 第9页 |
| ·集成电路制造工艺的分类 | 第9-10页 |
| ·双极工艺简介 | 第10-12页 |
| 3 双极集成电路制造工艺 | 第12-18页 |
| ·双极集成电路制造工艺的物理考量 | 第12-13页 |
| ·双极工艺器件的性能考虑 | 第12页 |
| ·双极器件重要参数的物理分析 | 第12-13页 |
| ·理论和现实的偏差 | 第13页 |
| ·一种传统的双极集成电路制造工艺 | 第13-18页 |
| ·现有的2.0um 双极工艺的纵向剖面结构图 | 第13-14页 |
| ·现有2.0um 双极制造工艺流程 | 第14-15页 |
| ·传统横向PNP 管的优缺点 | 第15-16页 |
| ·本研究的目的 | 第16-18页 |
| 4 纵向PNP 晶体管制造工艺的研究 | 第18-36页 |
| ·纵向PNP 晶体管的结构考量 | 第18-19页 |
| ·纵向PNP 晶体管结构分析及考量 | 第19-20页 |
| ·纵向PNP 晶体管集电极结构的分析 | 第19-20页 |
| ·纵向PNP 晶体管基区的分析 | 第20页 |
| ·纵向PNP 晶体管发射区的分析 | 第20页 |
| ·纵向PNP 晶体管的工艺实现 | 第20-24页 |
| ·纵向PNP 晶体管的制造工艺流程框图 | 第20-21页 |
| ·详细试验步骤 | 第21-24页 |
| ·工艺特点 | 第24-26页 |
| ·无台阶平面工艺 | 第24页 |
| ·采用LTO/Si3N4/TEOS 三层结构的工艺考量 | 第24-25页 |
| ·自由集电极的纵向PNP 晶体管 | 第25-26页 |
| ·纵向PNP 晶体管器件性能分析 | 第26-29页 |
| ·纵向PNP 晶体管输出特性的分析 | 第26-28页 |
| ·耐压比较 | 第28页 |
| ·直流放大系数的比较 | 第28-29页 |
| ·短期和中长期的工艺稳定性测试 | 第29-34页 |
| ·小结 | 第34-36页 |
| 5 总结 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-39页 |
| 致谢 | 第39-40页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第40页 |