IGBT横向结构参数对特性影响的研究

摘要	第1-6页
Abstract	第6-10页
第一章 绪论	第10-17页
·选题背景及意义	第10-12页
·选题的背景	第10-11页
·课题研究的意义	第11-12页
·IGBT的发展状况	第12-15页
·IGBT的发展背景	第12页
·应用及市场需求情况	第12-13页
·发展历程及发展趋势	第13-15页
·国内主要研究现状	第15-17页
第二章 IGBT简述	第17-22页
·早期IGBT的结构及作原理	第17-20页
·IGBT基本器件结构	第17-18页
·IGBT的工作原理分析	第18-20页
·IGBT工作中出现的问题及解决方法	第20-22页
第三章 仿真工具及仿真模型	第22-28页
·半导体器件仿真简述	第22-25页
·半导体器件仿真的历史发展	第22-23页
·Silvaco仿真软件介绍	第23-25页
·仿真分析模型的建立	第25-26页
·仿真参数的选取	第26-28页
第四章 IGBT通态特性的分析	第28-39页
·器件结构的生成	第28-30页
·通态特性的仿真	第30-35页
·PT型IGBT通态特性的仿真	第30-33页
·NPT型IGBT通态特性的仿真	第33-35页
·通态电流分布的仿真	第35-37页
·通态压降的研究	第37-39页
第五章 门极宽度的优化	第39-47页
·改变IGBT门极宽度对通态压降的影响	第39-40页
·门极宽度影响通态压降的机理分析	第40-41页
·分析不同元胞布局的闩锁电流	第41-45页
·元胞的优化	第45-47页
第六章 总结	第47-48页
参考文献	第48-50页
在学研究成果	第50-51页
致谢	第51页