| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-14页 |
| 目录 | 第14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-24页 |
| ·引言 | 第14-20页 |
| ·微波功率SiGe/Si HBT制约因素 | 第20-22页 |
| ·论文工作简介 | 第22-24页 |
| 第二章 SiGeHBT材料物理参数模型 | 第24-35页 |
| ·应变SiGe与临界厚度 | 第24-26页 |
| ·应变SiGe物理参数 | 第26-27页 |
| ·应变SiGe迁移率模型 | 第27-29页 |
| ·SiGe禁带宽度模型 | 第29-30页 |
| ·重掺杂SiGe禁带变窄模型 | 第30-31页 |
| ·SiGe有效态密度与本征载流子密度 | 第31-32页 |
| ·基区Ge分布 | 第32-33页 |
| ·基区掺杂分布 | 第33-34页 |
| ·小结 | 第34-35页 |
| 第三章 SiGe HBT直流参数模型 | 第35-56页 |
| ·SiGe器件基本结构 | 第35-37页 |
| ·SiGe HBT电流增益模型 | 第37-52页 |
| ·集电极电流密度模型 | 第52页 |
| ·击穿电压与Kirk效应 | 第52-55页 |
| ·小结 | 第55-56页 |
| 第四章 SiGe HBT交流参数模型 | 第56-89页 |
| ·特征频率 | 第56页 |
| ·发射极延迟时间 | 第56-64页 |
| ·基区渡越时间 | 第64-71页 |
| ·基区Ge组分的优化 | 第71-77页 |
| ·集电结耗尽层渡越时间模型 | 第77-84页 |
| ·收集结延迟时间 | 第84-86页 |
| ·功率增益 | 第86-88页 |
| ·小结 | 第88-89页 |
| 第五章 大信号SiGe HBT等效电路模型 | 第89-111页 |
| ·SiGe HBT大信号等效电路模型 | 第89-93页 |
| ·传输电流模型 | 第93-100页 |
| ·SiGe HBT电容模型 | 第100-102页 |
| ·等效电路中的其它模型 | 第102-107页 |
| ·模拟分析 | 第107-110页 |
| ·小结 | 第110-111页 |
| 第六章 S波段功率SiGe HBT芯片优化设计 | 第111-118页 |
| ·器件图形结构设计 | 第111-112页 |
| ·基区结构设计 | 第112-114页 |
| ·发射区结构设计 | 第114-115页 |
| ·集电区参数设计 | 第115页 |
| ·镇流电阻 | 第115-116页 |
| ·器件纵横向结构参数 | 第116-117页 |
| ·小结 | 第117-118页 |
| 第七章 S波段功率SiGe HBT工艺设计与实现 | 第118-126页 |
| ·工艺步骤 | 第118-120页 |
| ·离子注入 | 第120-124页 |
| ·金属化 | 第124-125页 |
| ·电镀 | 第125页 |
| ·小结 | 第125-126页 |
| 第八章 S波段功率SiGe HBT内匹配与功率合成 | 第126-144页 |
| ·微波功率管管芯阻抗估算 | 第127-130页 |
| ·内匹配网络设计 | 第130-133页 |
| ·内匹配网络中元件对晶体管性能影响 | 第133-136页 |
| ·内匹配网络功率均分 | 第136-139页 |
| ·功率合成 | 第139-140页 |
| ·S波段功率SiGe HBT内匹配与功率合成 | 第140-143页 |
| ·小结 | 第143-144页 |
| 第九章 结论 | 第144-148页 |
| 致谢 | 第148-149页 |
| 参考文献 | 第149-161页 |
| 在读期间的科研成果 | 第161-164页 |