| 内容提要 | 第1-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-12页 |
| ·光电检测技术以及光电器件的发展与现状 | 第8-9页 |
| ·本论文的研究目的与意义 | 第9-10页 |
| ·本论文的结构 | 第10-12页 |
| 第二章 光电基本理论与常用光电器件 | 第12-22页 |
| ·电流输运理论 | 第12-13页 |
| ·热电子发射理论 | 第12-13页 |
| ·扩散理论 | 第13页 |
| ·光电器件的基本特性参数 | 第13-16页 |
| ·常用光电器件的种类 | 第16-22页 |
| ·PIN 光电二极管 | 第16-17页 |
| ·雪崩光电二极管(APD) | 第17-19页 |
| ·光电晶体管 | 第19-20页 |
| ·穿通基区异质结光电晶体管 | 第20-22页 |
| 第三章 高响应率宽响应范围硅光电晶体管 | 第22-38页 |
| ·结构与原理 | 第22-24页 |
| ·电流输运过程及分析 | 第24-30页 |
| ·器件的简化结构 | 第24-25页 |
| ·公式推算与分析 | 第25-30页 |
| ·数值仿真结果与分析 | 第30-38页 |
| ·基区电势分布 | 第31-32页 |
| ·载流子浓度分布 | 第32-33页 |
| ·伏安特性 | 第33-35页 |
| ·响应率及响应范围 | 第35-36页 |
| ·瞬态光响应 | 第36-38页 |
| 第四章 高响应率宽响应范围硅光电晶体管的设计与制造 | 第38-45页 |
| ·基本参数的选取设计 | 第38-41页 |
| ·基区掺杂浓度对伏安特性的影响 | 第38-39页 |
| ·晶体管A 基区长度LA 对伏安特性的影响 | 第39-40页 |
| ·晶体管B 基区长度LB 对光生电流的影响 | 第40-41页 |
| ·结深对器件穿通性能的影响 | 第41页 |
| ·器件结构的优化 | 第41-43页 |
| ·器件的制造及工艺 | 第43-45页 |
| 第五章 高响应率宽响应范围硅光电晶体管的测试 | 第45-49页 |
| ·伏安特性测试及分析 | 第45-46页 |
| ·光响应率测试及分析 | 第46-47页 |
| ·瞬态光响应测试及分析 | 第47-48页 |
| ·光谱响应特性 | 第48-49页 |
| 第六章 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 摘要 | 第54-57页 |
| Abstract | 第57-60页 |