| 第一章、 绪 论 | 第1-21页 |
| 1．1 引言 | 第7-12页 |
| 1．2 SiGe异质结电子学的基础理论及材料制备技术 | 第12-21页 |
| 1．2．1 SiGe异质结电子学的基础物理理论 | 第12-15页 |
| 1．2．2 SiGe材料的制备技术 | 第15-21页 |
| 第二章、 当今SiGe HBT及其集成电路的研究特点和现状 | 第21-41页 |
| 2．1 SiGe/Si异质结双极晶体管（HBT）基本工作原理 | 第21-26页 |
| 2．2 SiGe/Si HBT的基本设计方法简述 | 第26-29页 |
| 2．2．1 基区的设计： | 第27-28页 |
| 2．2．2 发射区的设计： | 第28页 |
| 2．2．3 集电区的设计： | 第28-29页 |
| 2．3 主要SiGe/Si HBT研究机构的设计特点及水平 | 第29-36页 |
| 2．3．1 IBM公司的器件设计： | 第29-31页 |
| 2．3．2 TEMIC公司的器件设计： | 第31-33页 |
| 2．3．3 其他研究机构的器件设计： | 第33-36页 |
| 2．4 SiGe集成电路的发展及现状 | 第36-41页 |
| 第三章、 我室研制的用于集成电路的SiGe/Si HBT的结构和特性 | 第41-59页 |
| 3．1 我室研制的SiGe HBT的结构设计特点、参数和基本工艺流程 | 第41-50页 |
| 3．1．1 结构设计特点和参数 | 第41-46页 |
| 3．1．2 基本工艺流程及创新点 | 第46-50页 |
| 3．2 我室研制的SiGe HBT的交直流特性测试与分析 | 第50-59页 |
| 3．2．1 直流特性与分析 | 第50-52页 |
| 3．2．2 高频特性与分析 | 第52-59页 |
| 第四章、 SiGe集成电路的设计 | 第59-74页 |
| 4．1 我室研制的SiGe集成电路的电路设计 | 第59-66页 |
| 4．1．1 用于电路模拟的HBT的直流SPICE参数的提取 | 第59-62页 |
| 4．1．2 用于电路模拟的HBT的高频SPICE参数的提取 | 第62-64页 |
| 4．1．3 电路设计方案的确定 | 第64-66页 |
| 4．2 薄膜电阻的工艺研究和分析 | 第66-70页 |
| 4．2．1 簿膜电阻的理论分析与实验研究 | 第66-68页 |
| 4．2．2 集成薄膜电阻的设计 | 第68-70页 |
| 4．3 我室研制的SiGe集成电路的版图和工艺设计 | 第70-74页 |
| 4．3．1 集成电路的版图设计 | 第70-72页 |
| 4．3．2 集成电路的工艺设计 | 第72-74页 |
| 第五章、 SiGe集成电路的工艺实施和结果分析 | 第74-84页 |
| 5．1 SiGe集成电路的工艺实施及过程分析 | 第74-79页 |
| 5．1．1 试片的分批次工艺实施（工艺描述） | 第74-78页 |
| 5．1．2 工艺过程中需要注意的地方 | 第78-79页 |
| 5．2 SiGe集成电路的结果测量和分析 | 第79-82页 |
| 5．2．1 工艺结果分析 | 第79-80页 |
| 5．2．2 器件结果测量与分析 | 第80-82页 |
| 5．3 对今后的器件设计和工艺的几点建议 | 第82-84页 |
| 5．3．1、 对封装技术进行根本改进 | 第82-83页 |
| 5．3．2、 对压焊点尺寸的改进 | 第83页 |
| 5．3．3、 进行晶体管隔离的研究 | 第83-84页 |
| 参考文献 | 第84-87页 |
| 致谢 | 第87页 |
