| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| ·4H-SiC BJT 的研究意义 | 第7-9页 |
| ·4H-SiC BJT 国内外研究进展 | 第9-10页 |
| ·4H-SiC 缓变基区双极晶体管的优势 | 第10-11页 |
| ·本文的主要工作 | 第11-13页 |
| 第二章 4H-SiC BJT 基本模型和器件特性 | 第13-33页 |
| ·4H-SiC BJT 的工作机理及基本结构 | 第13-15页 |
| ·缓变基区双极晶体管的性能优势和关键参数 | 第15-21页 |
| ·缓变基区晶体管有源放大区的直流伏安特性 | 第15-17页 |
| ·缓变基区晶体管的基区自建电场 | 第17-18页 |
| ·缓变基区晶体管发射效率 | 第18-19页 |
| ·缓变基区晶体管基区输运系数 | 第19-20页 |
| ·缓变基区晶体管直流电流增益 | 第20-21页 |
| ·模拟中采用的计算方法 | 第21-28页 |
| ·数值模型计算方法 | 第21-23页 |
| ·器件模型与材料参数 | 第23-28页 |
| ·4H-SiC BJT 直流特性 | 第28-31页 |
| ·直流模拟采用的器件结构 | 第28-29页 |
| ·4H-SiC BJT 直流特性 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-33页 |
| 第三章 4H-SiC 高斯掺杂基区双极晶体管的研究 | 第33-43页 |
| ·高斯掺杂基区双极晶体管的直流特性 | 第33-36页 |
| ·高斯掺杂基区双极晶体管的频率特性 | 第36-42页 |
| ·4H-SiC BJT 频率特性参数 | 第36-39页 |
| ·高斯掺杂基区双极晶体管RF 模拟结果及分析 | 第39-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 多层外延缓变基区4H-SiC 双极晶体管的研究 | 第43-55页 |
| ·三层外延缓变基区4H SiC 双极晶体管的结构 | 第43-44页 |
| ·三层缓变基区4H-SiC 双极晶体管的直流特性 | 第44页 |
| ·三层缓变基区4H-SiC 双极晶体管的击穿特性 | 第44-46页 |
| ·三层缓变基区4H-SiC 双极晶体管的交流小信号特性 | 第46-49页 |
| ·截止频率 f_T | 第46-48页 |
| ·最大频率f_(max) | 第48-49页 |
| ·基区设计分析 | 第49-53页 |
| ·基区宽度对共射极直流增益的影响 | 第49页 |
| ·基区厚度对器件频率特性的影响 | 第49-50页 |
| ·基区掺杂浓度对器件频率特性的影响 | 第50-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 结束语 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 研究成果 | 第63-64页 |
