异质结双极晶体管HBT单边增益研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-16页 |
| ·晶体管的历史背景 | 第7-8页 |
| ·异质结双极型晶体管HBT的发展 | 第8-11页 |
| ·光纤通信网对于高速晶体管的需求 | 第11-12页 |
| ·Mason单边增益介绍 | 第12-13页 |
| ·本论文的主要工作 | 第13-14页 |
| 参考文献: | 第14-16页 |
| 第二章 异质结双极晶体管(HBT's) | 第16-31页 |
| ·材料与器件结构 | 第17-19页 |
| ·单异质结双极晶体管(SHBT) | 第18页 |
| ·双异质结双极晶体管(DHBT) | 第18页 |
| ·倒置HBT | 第18-19页 |
| ·异质结双极晶体管(HBT)特性分析 | 第19-23页 |
| ·高频晶体管分析 | 第23-25页 |
| ·晶体管等效模型 | 第25-29页 |
| ·大信号模型 | 第25-26页 |
| ·小信号模型 | 第26-27页 |
| ·晶体管小信号T-模型Z-矩阵表达式 | 第27-29页 |
| 参考文献 | 第29-31页 |
| 第三章 四端口网络基本理论 | 第31-36页 |
| ·Y-,Z-,和H-矩阵 | 第32页 |
| ·S-矩阵 | 第32-33页 |
| ·矩阵转换 | 第33-35页 |
| 参考文献: | 第35-36页 |
| 第四章 功率增益Gp表达式的推导 | 第36-48页 |
| ·输入端导纳yin | 第37-38页 |
| ·输出端导纳yout | 第38-42页 |
| ·输出导纳表达式第一项式的分析 | 第39-40页 |
| ·输出导纳表达式第二项式的分析 | 第40-42页 |
| ·功率增益Gp表达式 | 第42-45页 |
| ·Gp表达式与U表达式的比较 | 第45-47页 |
| 参考文献: | 第47-48页 |
| 第五章 结论 | 第48-49页 |
| 硕士在读期间发表的论文 | 第49-50页 |
| 附录A | 第50-59页 |
| 附录B | 第59-60页 |
| 参考文献: | 第60-61页 |
| 致谢 | 第61页 |
