中文摘要 | 第1-4页 |
英文摘要 | 第4-7页 |
前言 | 第7-8页 |
第一章 IGBT的基本结构与基本特性 | 第8-25页 |
概述 | 第8-9页 |
第一节 IGBT的基本结构 | 第9-11页 |
第二节 IGBT的基本特性 | 第11-12页 |
第三节 IGBT的工作原理与器件物理分析 | 第12-15页 |
第四节 正向导通特性 | 第15-16页 |
第五节 栅极关断 | 第16-18页 |
第六节 擎住效应 | 第18-22页 |
第七节 频率特性 | 第22-25页 |
第二章 IGBT模块封装热应力及封装可靠性 | 第25-42页 |
第一节 热应力问题的提出 | 第25-27页 |
第二节 IGBT模块封装热应力模拟 | 第27-29页 |
第三节 热应力模拟结果分析及减小硅片层热应力的方法 | 第29-34页 |
第四节 IGBT模块封装设计—最佳应力匹配方法 | 第34-37页 |
第五节 温度循环实验 | 第37-41页 |
本章小结 | 第41-42页 |
第三章 IGBT的温度特性 | 第42-53页 |
第一节 半导体器件参数及其与温度的关系 | 第42-44页 |
第二节 IGBT的温度特性 | 第44-53页 |
第四章 IGBT热阻测量及热阻测试仪的研制 | 第53-76页 |
第一节 热阻的定义 | 第53-54页 |
第二节 半导体器件热阻的一般测量方法 | 第54-56页 |
第三节 场效应器件热阻的计算 | 第56-57页 |
第四节 IGBT热阻测量方法 | 第57-60页 |
第五节 IGBT模块热阻测试系统研制及热阻测试结果 | 第60-75页 |
本章小结 | 第75-76页 |
结束语 | 第76-78页 |
参考文献 | 第78-81页 |
致谢 | 第81页 |