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IGBT模块热行为及可靠性研究

中文摘要第1-4页
英文摘要第4-7页
前言第7-8页
第一章 IGBT的基本结构与基本特性第8-25页
 概述第8-9页
 第一节 IGBT的基本结构第9-11页
 第二节 IGBT的基本特性第11-12页
 第三节 IGBT的工作原理与器件物理分析第12-15页
 第四节 正向导通特性第15-16页
 第五节 栅极关断第16-18页
 第六节 擎住效应第18-22页
 第七节 频率特性第22-25页
第二章 IGBT模块封装热应力及封装可靠性第25-42页
 第一节 热应力问题的提出第25-27页
 第二节 IGBT模块封装热应力模拟第27-29页
 第三节 热应力模拟结果分析及减小硅片层热应力的方法第29-34页
 第四节 IGBT模块封装设计—最佳应力匹配方法第34-37页
 第五节 温度循环实验第37-41页
 本章小结第41-42页
第三章 IGBT的温度特性第42-53页
 第一节 半导体器件参数及其与温度的关系第42-44页
 第二节 IGBT的温度特性第44-53页
第四章 IGBT热阻测量及热阻测试仪的研制第53-76页
 第一节 热阻的定义第53-54页
 第二节 半导体器件热阻的一般测量方法第54-56页
 第三节 场效应器件热阻的计算第56-57页
 第四节 IGBT热阻测量方法第57-60页
 第五节 IGBT模块热阻测试系统研制及热阻测试结果第60-75页
 本章小结第75-76页
结束语第76-78页
参考文献第78-81页
致谢第81页

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