| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-7页 |
| 目录 | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-14页 |
| ·课题背景 | 第9-10页 |
| ·HBT以及集成光接收机前端研究现状 | 第10-12页 |
| ·论文的结构安排 | 第12-13页 |
| 参考文献 | 第13-14页 |
| 第二章 HBT器件概述 | 第14-22页 |
| ·HBT的基本原理及优点 | 第14-16页 |
| ·HBT的基本原理 | 第14-15页 |
| ·HBT的电流传输原理 | 第15-16页 |
| ·HBT的优越性总结 | 第16页 |
| ·HBT器件的性能参数 | 第16-18页 |
| ·HBT器件的材料体系 | 第18-19页 |
| ·HBT器件的生长技术 | 第19-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 参考文献 | 第21-22页 |
| 第三章 HBT的理论模型分析 | 第22-37页 |
| ·HBT器件理论模型及相关电学参数 | 第22-29页 |
| ·InGaAs与InP材料的迁移率随掺杂浓度的变化关系 | 第22-23页 |
| ·HBT器件的物理结构 | 第23-24页 |
| ·HBT理论模型中相关物理参量的计算 | 第24-29页 |
| ·HBT电学参数仿真分析 | 第29-33页 |
| ·HBT的优化设计 | 第33-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-37页 |
| 第四章 HBT的GP大信号建模及参数提取 | 第37-63页 |
| ·大信号模型简述 | 第37-38页 |
| ·GP大信号模型结构以及参数方程 | 第38-42页 |
| ·GP模型参数提取 | 第42-58页 |
| ·C-V参数的提取 | 第42-44页 |
| ·寄生电阻参数提取 | 第44-46页 |
| ·直流参数的提取 | 第46-52页 |
| ·交流小信号参数的提取 | 第52-58页 |
| ·参数提取结果分析 | 第58-62页 |
| 参考文献 | 第62-63页 |
| 第五章 集成光接收机前端的设计 | 第63-75页 |
| ·设计要求 | 第63-64页 |
| ·放人电路常用形式 | 第64-67页 |
| ·放大电路常用三种组态 | 第64-65页 |
| ·二级放大电路常用组合形态 | 第65-66页 |
| ·负反馈形式 | 第66-67页 |
| ·光接收机前端电路的具体设计 | 第67-73页 |
| ·单级共射 | 第67-68页 |
| ·单级共射+共集输出缓冲 | 第68-69页 |
| ·单级共射+电压并联负反馈+共集输出缓冲 | 第69-71页 |
| ·共基+共射+电压并联负反馈+共集输出缓冲 | 第71-72页 |
| ·共基+共射+电压并联负反馈+双共集输出缓冲 | 第72-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 参考文献 | 第74-75页 |
| 第六章 GaAs基InP HBT及集成光接收前端的制备与测试 | 第75-83页 |
| ·GaAs基InP HBT的制备 | 第75-77页 |
| ·外延结构 | 第75-76页 |
| ·制备工艺流程 | 第76-77页 |
| ·GaAs基InP HBT的测试结果及分析 | 第77-79页 |
| ·测试设备 | 第77页 |
| ·测试结果 | 第77-79页 |
| ·PIN-PD+HBT光接收机前端的制备与测试 | 第79-81页 |
| ·本章小结 | 第81-82页 |
| 参考文献 | 第82-83页 |
| 附录 常用半导体材料参数 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第85页 |