| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-11页 |
| 第一章 HBT器件概述 | 第11-22页 |
| ·HBT发展概况 | 第11-12页 |
| ·HBT的原理机制及优越性 | 第12-15页 |
| ·BJT的工作原理 | 第12页 |
| ·HBT的工作原理 | 第12-13页 |
| ·HBT的电流组成原理 | 第13-14页 |
| ·HBT与场效应晶体管(FET)的比较 | 第14-15页 |
| ·InP基HBT的优越性总结 | 第15页 |
| ·HBT器件的性能参数 | 第15-17页 |
| ·截止频率f_T和最高振荡频率f_(max) | 第15-16页 |
| ·电流增益β | 第16页 |
| ·开启电压 | 第16页 |
| ·击穿电压 | 第16-17页 |
| ·在HBT器件中所运用的材料体系及材料的主要生长技术 | 第17-19页 |
| ·在HBT器件中所运用的材料体系 | 第17-18页 |
| ·HBT材料的主要生长技术 | 第18-19页 |
| ·制备HBT器件常用工艺 | 第19-22页 |
| ·自对准工艺 | 第20页 |
| ·空气桥工艺 | 第20页 |
| ·离子注入工艺 | 第20页 |
| ·聚酰亚胺平坦化工艺 | 第20页 |
| ·表面钝化处理工艺 | 第20-22页 |
| 第二章 HBT的器件结构与理论模型 | 第22-43页 |
| ·HBT器件的物理结构 | 第22-23页 |
| ·HBT理论模型 | 第23-43页 |
| ·InGaAs与InP材料的迁移率随掺杂浓度的变化关系 | 第23-26页 |
| ·HBT理论模型中相关物理参量的计算 | 第26-34页 |
| ·集电区耗尽层渡越时间τ_(sc)的修正 | 第34-36页 |
| ·InP基HBT理论模型中相关物理参量随不同偏压的变化关系 | 第36-43页 |
| 第三章 Kirk效应对InP基HBT性能参数影响的分析 | 第43-58页 |
| ·Kirk效应 | 第43-48页 |
| ·Kirk效应对InP基HBT性能参数影响的分析 | 第48-52页 |
| ·Kirk效应对基区空穴电流密度J_b影响的分析 | 第49-50页 |
| ·Kirk效应对f_T与f_(max)影响的分析 | 第50-51页 |
| ·Kirk效应对电流增益β影响的分析 | 第51-52页 |
| ·发生Kirk效应后零电场的厚度X_S对InP基HBT性能参数影响的分析 | 第52-57页 |
| ·X_S对τ_b影响的分析 | 第52-54页 |
| ·X_S对f_T影响的分析 | 第54-55页 |
| ·X_S对f_(max)影响的分析 | 第55-57页 |
| ·本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 基区非均匀掺杂对InP基HBT性能参数影响的分析 | 第58-89页 |
| ·基区非均匀掺杂时所产生的电场的分析 | 第58-66页 |
| ·基区非均匀掺杂时基区电子渡越时间τ_b的计算 | 第66-73页 |
| ·基区电子渡越时间τ_b的计算 | 第66-68页 |
| ·考虑电子在基区被加速的过程当中可能达到速率饱和时τ_b的计算 | 第68-71页 |
| ·τ_b对掺杂浓度误差的敏感度的计算 | 第71-73页 |
| ·不同的掺杂曲线对InP基HBT各参数的影响 | 第73-82页 |
| ·不同的掺杂曲线对τ_b的影响 | 第73-74页 |
| ·考虑Kirk效应后不同的掺杂曲线对τ_b的影响 | 第74-77页 |
| ·不同的掺杂曲线对f_T的影响 | 第77-80页 |
| ·不同的掺杂曲线对f_(max)的影响 | 第80-82页 |
| ·掺杂工艺误差对InP基HBT各参数的影响 | 第82-88页 |
| ·掺杂工艺误差对τ_b的影响 | 第82-83页 |
| ·掺杂工艺误差对f_T的影响 | 第83-85页 |
| ·掺杂工艺误差对f_(max)的影响 | 第85-88页 |
| ·本章小结 | 第88-89页 |
| 第五章 InP基HBT与光电探测器的单片集成 | 第89-109页 |
| ·光电集成电路 | 第89-92页 |
| ·光电探测器的种类及其基本原理 | 第92-97页 |
| ·PIN光电探测器 | 第93页 |
| ·APD光电探测器 | 第93-94页 |
| ·MSM光电探测器 | 第94-95页 |
| ·RCE光电探测器 | 第95-96页 |
| ·OMITMiC光电探测器 | 第96-97页 |
| ·InP基HBT与PIN—PD单片集成器件的制备 | 第97-108页 |
| ·InP基HBT与PIN—PD的共享层材料外延生成结构 | 第97-99页 |
| ·集电极用单电极与双电极工艺时对InP基HBT性能参数影响的分析 | 第99-101页 |
| ·InP基HBT的实验制备工艺流程 | 第101-105页 |
| ·InP基HBT的实验测试结果 | 第105-108页 |
| ·PIN—PD与单片OEIC器件的实验测试结果 | 第108页 |
| ·实验结果分析 | 第108页 |
| ·本章小结 | 第108-109页 |
| 附录 常用半导体材料参数 | 第109-110页 |
| 参考文献 | 第110-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
