4H-SiC npn双极晶体管特性研究

摘 要	第1-5页
Abstract	第5-8页
第一章 绪论	第8-17页
·SiC双极晶体管概述	第8-15页
·SiC材料简介	第8-9页
·SiC的微观结构	第9-10页
·SiC材料的应用	第10-11页
·目前SiC研究中存在的问题	第11-12页
·SiC双极晶体管的基本结构	第12-14页
·研究SiC双极晶体管的意义	第14-15页
·国内外研究进展	第15-16页
·本文主要工作	第16-17页
第二章 4H-SiC双极晶体管的建模及特性研究	第17-37页
·Medici 简介	第17页
·4H-SiC双极晶体管数值模型及特性研究	第17-29页
·双极晶体管的数值模型	第17-22页
·4H-SiC双极晶体管的击穿电压	第22-23页
·带隙窄变效应及俄歇复合对直流电流增益的影响	第23-25页
·基区宽度对直流电流增益的影响	第25-27页
·发射区掺杂对直流电流增益的影响	第27-29页
·4H-SiC双极晶体管的结构及模拟结果	第29-36页
·双极晶体管中的JTE结构	第29-32页
·双极晶体管中的TBS结构	第32-34页
·器件结构及模拟结果	第34-36页
·本章小结	第36-37页
第三章 异质结双极晶体管	第37-48页
·异质结双极晶体管理论	第37-44页
·异质结	第37-38页
·异质结在器件中的应用	第38页
·异质结双极晶体管（HBT)原理	第38-40页
·异质结双极晶体管的特性分析	第40-44页
·小结	第44页
·4H-SiC异质结双极晶体管发展现状	第44-47页
·本章小结	第47-48页
第四章 结论	第48-49页
致谢	第49-50页
参考文献	第50-54页
硕士期间参加课题研究及论文发表情况	第54页